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Wir stellen den NPN-Bipolartransistor 13001 vor, eine robuste und vielseitige Komponente, die für Hochspannungs- und Leistungsanwendungen entwickelt wurde. In einem kompakten SOT-23-Gehäuse bietet dieser Transistor eine maximale Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo) von 600 V und erfüllt damit anspruchsvolle Schaltungsanforderungen. Mit einer Kollektorstromkapazität (Ic) von bis zu 0.2 A und einer Verlustleistung von 0.75 W gewährleistet er einen zuverlässigen Betrieb in verschiedenen Umgebungen. Der 13001 verfügt über eine niedrige Sättigungsspannung (VCE(sat)) von 0.5 V und eine Übergangsfrequenz (fT) von 8 MHz, wodurch er sowohl für Schalt- als auch für Verstärkungsaufgaben geeignet ist.
Unsere Vorteile
Chinesische Herstellungsprozesse haben jahrelange Iterationen durchlaufen, was zu ausgereiften und zuverlässigen Technologien geführt hat. Viele internationale Unternehmen entscheiden sich für das Outsourcing der Produktion nach China. Als Hersteller elektronischer Komponenten in China können unsere Produkte die Produkte großer internationaler Marken in 99 % der Anwendungen vollständig ersetzen, ohne dass eine Prüfung erforderlich ist. Unsere Produkte zeichnen sich durch hohe Qualitätskonsistenz, angemessene Preise, große Lagerbestände, flexible Versorgung, kurze Lieferzeiten und professionellen Kundendienst aus.
Beschreibung
Wir stellen den NPN-Bipolartransistor 13001 vor, eine robuste und vielseitige Komponente, die für Hochspannungs- und Leistungsanwendungen entwickelt wurde. In einem kompakten SOT-23-Gehäuse bietet dieser Transistor eine maximale Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo) von 600 V und erfüllt damit anspruchsvolle Schaltungsanforderungen. Mit einer Kollektorstromkapazität (Ic) von bis zu 0.2 A und einer Verlustleistung von 0.75 W gewährleistet er einen zuverlässigen Betrieb in verschiedenen Umgebungen. Der 13001 verfügt über eine niedrige Sättigungsspannung (VCE(sat)) von 0.5 V und eine Übergangsfrequenz (fT) von 8 MHz, wodurch er sowohl für Schalt- als auch für Verstärkungsaufgaben geeignet ist.
Funktionen
● Hohe Spannungstoleranz: Maximales Vceo von 600 V für die Handhabung von Hochspannungsanwendungen.
● Niedrige Sättigungsspannung: VCE(sat) von 0.5 V gewährleistet effiziente Leistung mit minimalem Leistungsverlust.
● Kompaktes Gehäuse: Das SOT-23-Gehäuse bietet platzsparende Vorteile bei gleichbleibender Zuverlässigkeit.
● Hohe Leistungsableitung: Kann bis zu 0.75 W ableiten und unterstützt so eine robuste Leistung in anspruchsvollen Umgebungen.
● Großer Betriebstemperaturbereich: Ausgelegt für einen Betrieb bis zu 150 °C (Tj), was Haltbarkeit und Stabilität unter Hochtemperaturbedingungen gewährleistet.
Anwendung
● Hochspannungsschalten: Ideal für Anwendungen, die zuverlässiges Hochspannungsschalten mit kompaktem Formfaktor erfordern.
● Leistungsverstärker: Geeignet für den Einsatz in Leistungsverstärkerschaltungen, in denen eine hohe Spannungs- und Strombelastbarkeit erforderlich ist.
● Impulsschaltkreise: Effektiv in Schaltkreisen, die robuste Impulsschaltfähigkeiten und Stabilität erfordern.
● Industrieelektronik: Perfekt für Industriegeräte und Steuerungssysteme, bei denen Haltbarkeit und Hochspannungstoleranz entscheidend sind.
Unterstützung
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Langlebigkeit
Das Langlebigkeitsprogramm informiert unsere Kunden regelmäßig über die voraussichtliche Lieferzeit unserer Produkte. Es wird regelmäßig von unserem Managementteam überprüft und aktualisiert. Hier finden Sie unser Langlebigkeitsprogramm.