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2SB1261 PNP-Bipolartransistor

2SB1261 PNP-Bipolartransistor

Beschreibung

  • Niedrige Kollektorsättigungsspannung

  • Hohe Verlustleistung: Pc = 10 W (max.) bei Tc = 25 °C

  • Minimale Lot-zu-Lot-Variationen für robuste Geräteleistung und zuverlässigen Betrieb


Anwendungen

  • Konzipiert für den Einsatz in Audioverstärkern und -schaltern, insbesondere in hybriden integrierten Schaltkreisen.


2SB1261 TO-252_00.jpg


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