المعرفة الأساسية للترانزستور

مفاهيم أساسية
وتتمثل وظيفتها الرئيسية في تضخيم التيار (الدائرة التناظرية) وعمل التبديل (الدائرة الرقمية).
يتكون الترانزستور من هيكلين PN، ويصبح القطب المشترك هو القاعدة الترانزستور (يشار إليه بالحرف ب). يصبح القطبان الآخران المجمع (المشار إليه بالحرف c) والباعث (المشار إليه بالحرف e). نظرًا لاختلاف التركيبات، أحدهما ترانزستور من نوع NPN، والآخر ترانزستور من نوع PNP.
أكثر من الترانزستوريتم تعبئتها بالبلاستيك أو المعدن. مظهر الترانزستور المشترك، القطب ذو السهم هو الباعث، السهم المتجه للخارج هو نوع NPN الترانزستوروالسهم المتجه للداخل هو نوع PNP. في الواقع اتجاه السهم هو اتجاه التيار. 
يشير الجزء الأول من الرمز "3" إلى الترانزستور. الجزء الثاني من الرمز يشير إلى مادة وهيكل الجهاز: أ —— مادة الجرمانيوم من نوع PNP؛ ب —— مادة الجرمانيوم من نوع NPN؛ C —— مادة السيليكون من نوع PNP؛ د —— مادة السيليكون من نوع NPN. يشير الجزء الثالث من الرمز إلى الوظيفة: U — الأنبوب الكهروضوئي؛ K — تبديل الأنبوب؛ X - أنبوب منخفض الطاقة ذو تردد منخفض؛ G - أنبوب منخفض الطاقة عالي التردد؛ د - أنبوب عالي الطاقة منخفض التردد؛ أ - أنبوب عالي الطاقة عالي التردد. بالإضافة إلى ذلك، فإن النوع 3DJ هو ترانزستور ذو تأثير ميداني، ويشير النوع الذي يبدأ بـ BT إلى مكون خاص لأشباه الموصلات. مثل: 3DG12B، 3AX21.

الوظيفة الأساسية لل الترانزستور هو التضخيم. يمكنه تحويل الإشارة الكهربائية الضعيفة إلى إشارة بقوة معينة. وبطبيعة الحال، لا يزال هذا التحويل يتبع الحفاظ على الطاقة. إنه فقط يحول طاقة مصدر الطاقة إلى طاقة الإشارة. معلمة مهمة من الترانزستور هو عامل التضخيم الحالي ب. عندما يتم تطبيق تيار صغير على قاعدة الترانزستور، يمكن الحصول على تيار b مرات من التيار المحقون على المجمع ، أي تيار المجمع. يتغير تيار المجمع مع تيار القاعدة، وتغيير بسيط في تيار القاعدة يمكن أن يسبب تغييرا كبيرا في تيار المجمع، وهو تأثير التضخيم الترانزستور.

استخدم الترانزستور يمكن استخدامه أيضًا كمفتاح إلكتروني، ويمكنه أيضًا تشكيل مذبذب مع مكونات أخرى.
ثانيا، تصنيف الترانزستور
       1) وفقا لمجموعة تقاطع PN، يمكن تقسيمها إلى نوع NPN ونوع PNP؛
       2) وفقا للمادة، يمكن تقسيمها إلى الجرمانيوم الترانزستور والسيليكون الترانزستور;
       3) وفقا لتردد العمل، يمكن تقسيمها إلى تردد عال الترانزستور (fa≥3MHz) والتردد المنخفض الترانزستور (فا <3 ميجا هرتز)؛
       4) وفقًا للقوة، يمكن تقسيمها إلى أنبوب عالي الطاقة (PC≥1W) وأنبوب منخفض الطاقة الترانزستور (الكمبيوتر <1 واط)
       5) حسب الغرض، يتم تقسيمها إلى ترانزستورات مكبر الصوت العادية وترانزستورات التبديل.

ثلاثة، وتأثير التضخيم الحالي لل الترانزستور
      1) الظروف الخارجية ل الترانزستور التضخيم: قطبية مصدر الطاقة الخارجي يجب أن تجعل تقاطع الباعث في حالة انحياز أمامي، في حين أن تقاطع المجمع في حالة انحياز عكسي.
      2) قانون التوزيع الحالي Ie=Ic+Ib
      3) جوهر الترانزستور التضخيم الحالي هو التحكم في تغيير كبير في IC الحالي للمجمع مع تغيير بسيط في IB الحالي الأساسي.

أربعة، خصائص خرج الترانزستور
      1) عندما يكون ملف الترانزستور يعمل في مناطق التشبع والقطع، وله خاصية "التبديل"، والتي يمكن تطبيقها على الدوائر الرقمية النبضية ولعب دور التبديل؛
      2) عندما يكون ملف الترانزستور يعمل في منطقة التضخيم، ويمكن استخدامه في الدائرة التناظرية للعب دور التضخيم؛
      3) ولذلك فإن الترانزستور لديه وظيفتين "التبديل" و"التضخيم".

خمسة، اختبار حالة العمل
       قياس الجهد الترانزستور دبوس على الأرض يمكن الحكم على حالة عمل الأنبوب:
      1) أنبوب NPN —— Vc>Vb>Ve،
          أنبوب PNP - Vc
      2) إذا تم قياس الجهد من المجمع إلى الأرض Vc الترانزستور بالقرب من جهد مصدر الطاقة Vcc، فهذا يعني أن الأنبوب في حالة القطع (يتم إيقاف تشغيل المفتاح).
      3) إذا تم قياس الجهد من المجمع إلى الأرض Vc الترانزستور قريبة من الصفر (أقل من 0.7 فولت لأنبوب السيليكون وأقل من 0.3 فولت لأنبوب الجرمانيوم)، فهذا يعني أن الأنبوب في حالة مشبعة (المفتاح مغلق).
خطوات وحلول الحكم:
      1) قم أولاً بقياس جهد النقاط C وB وE على الأرض
      2) إذا أوس
      3) أنبوب NPN —— Vc>Vb>Ve،
          أنبوب PNP - Vc
      4) خلاف ذلك في حالة القطع