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A diferença entre IGBT discreto e módulo IGBT
2022-03-17
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O módulo IGBT pode ser considerado como uma melhoria funcional e atualização do IGBT discreto. Seus campos de aplicação são basicamente os mesmos. Porém, devido à integração de vários circuitos de acionamento e proteção, a instalação de módulos IGBT é muito conveniente para os usuários. Com a adoção de novas tecnologias de embalagem, o desempenho do IGBT também melhorou bastante, expandindo o campo de aplicação do IGBT.
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O módulo de fonte de alimentação IGBT é acionado por CI, diversos circuitos de proteção de acionamento, chips IGBT de alto desempenho e nova tecnologia de encapsulamento, e evoluiu de módulo de fonte de alimentação composto (PIM) para módulo de fonte de alimentação inteligente (IPM), bloco de construção eletrônico de potência (PEBB) e módulo de fonte de alimentação (IPEM). O PIM está se desenvolvendo na direção de alta tensão e alta corrente, e a classe do produto é 1200-1800A/1800-3300V.
Além da regulação de velocidade de frequência variável, o IPM de 600 A/2000 V tem sido utilizado no inversor VVVF de locomotivas elétricas. Tecnologia de encapsulamento de baixa indutância: módulos IGBT de alta corrente são PEBBs de dispositivos ativos, utilizados em transmissores em navios. O IPEM utiliza a tecnologia de módulos multichip de chip cerâmico co-queimado para montar PEBBs, o que reduz significativamente a indutância da fiação do circuito e melhora a eficiência do sistema. Agora, a segunda geração do IPEM foi desenvolvida com sucesso, na qual todos os componentes passivos são incorporados ao substrato. A inteligência e a modularização tornaram-se o foco do desenvolvimento de IGBTs.
O módulo de fonte de alimentação IGBT é acionado por CI, diversos circuitos de proteção de acionamento, chips IGBT de alto desempenho e nova tecnologia de encapsulamento, e evoluiu de módulo de fonte de alimentação composto (PIM) para módulo de fonte de alimentação inteligente (IPM), bloco de construção eletrônico de potência (PEBB) e módulo de fonte de alimentação (IPEM). O PIM está se desenvolvendo na direção de alta tensão e alta corrente, e a classe do produto é 1200-1800A/1800-3300V.
Além da regulação de velocidade de frequência variável, o IPM de 600 A/2000 V tem sido utilizado no inversor VVVF de locomotivas elétricas. Tecnologia de encapsulamento de baixa indutância: módulos IGBT de alta corrente são PEBBs de dispositivos ativos, utilizados em transmissores em navios. O IPEM utiliza a tecnologia de módulos multichip de chip cerâmico co-queimado para montar PEBBs, o que reduz significativamente a indutância da fiação do circuito e melhora a eficiência do sistema. Agora, a segunda geração do IPEM foi desenvolvida com sucesso, na qual todos os componentes passivos são incorporados ao substrato. A inteligência e a modularização tornaram-se o foco do desenvolvimento de IGBTs.
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