Горячая линия
Разница между дискретным IGBT и модулем IGBT
2022-03-17
1313
Модуль IGBT можно рассматривать как функциональное улучшение и модернизацию дискретного IGBT. Области их применения в основном одинаковы. Однако благодаря интеграции различных схем управления и защиты установка модулей IGBT очень удобна для пользователей. С внедрением новой технологии упаковки производительность IGBT также значительно улучшилась, что расширило область применения IGBT.
??
Модуль питания IGBT управляется микросхемой (ИС), различными схемами защиты управления, высокопроизводительными IGBT-микросхемами и новой технологией корпусирования. Пройдя путь от композитного модуля питания PIM до интеллектуального модуля питания IPM, силового электронного блока PEBB и модуля питания IPEM, PIM развивается в направлении высокого напряжения и тока, а класс продукта составляет 1200-1800 А/1800-3300 В.
Помимо частотного регулирования скорости, в преобразователе частоты с регулируемой частотой вращения электровоза используется IPM 600 А/2000 В. Технология корпусирования с низкой индуктивностью. Сильноточные модули IGBT представляют собой PEBB активных устройств, используемых в корабельных передатчиках. IPEM использует технологию совместного обжига керамических кристаллов для сборки PEBB, что значительно снижает индуктивность цепей и повышает эффективность системы. В настоящее время успешно разработаны IPEM второго поколения, в которых все пассивные компоненты скрыты в подложке. Интеллектуализация и модуляризация стали ключевыми направлениями разработки IGBT.
Модуль питания IGBT управляется микросхемой (ИС), различными схемами защиты управления, высокопроизводительными IGBT-микросхемами и новой технологией корпусирования. Пройдя путь от композитного модуля питания PIM до интеллектуального модуля питания IPM, силового электронного блока PEBB и модуля питания IPEM, PIM развивается в направлении высокого напряжения и тока, а класс продукта составляет 1200-1800 А/1800-3300 В.
Помимо частотного регулирования скорости, в преобразователе частоты с регулируемой частотой вращения электровоза используется IPM 600 А/2000 В. Технология корпусирования с низкой индуктивностью. Сильноточные модули IGBT представляют собой PEBB активных устройств, используемых в корабельных передатчиках. IPEM использует технологию совместного обжига керамических кристаллов для сборки PEBB, что значительно снижает индуктивность цепей и повышает эффективность системы. В настоящее время успешно разработаны IPEM второго поколения, в которых все пассивные компоненты скрыты в подложке. Интеллектуализация и модуляризация стали ключевыми направлениями разработки IGBT.
Связанные рекомендации
Slkor Micro ULN2003AU: массив транзисторов Дарлингтона в корпусе SOP-16 с выдерживаемым напряжением 50 В и током 500 мА.
2026-10-22
2298
SLKORMICRO TL431: Регулируемый трехвыводной шунтирующий источник опорного напряжения 36 В, корпус SOT-23 / TO-92
2026-10-21
2658
Решение для применения датчика температуры Slkor SL-FW-TRS-5.5D1
2026-07-28
5861




粤公网安备44030002007346号