Висока надійність NPN-транзистора 2SC2757 T33, виготовленого безпосередньо з заводу

Home категорії продуктів Транзистори Біполярний транзистор (BJT)

2SC2757 T33 NPN біполярний транзистор SOT-23

2SC2757 – це NPN-радіобіполярний транзистор, розроблений для застосування в діапазоні УКХ. Він має низький рівень шуму та високу смугу пропускання для струмового підсилювача, що робить його придатним для схем радіочастотних підсилювачів, гетеродинів та змішувачів. Виготовлений у корпусі SOT‑23, він пропонує компактні розміри та надійні радіочастотні характеристики при обробці високочастотних сигналів.

Завантажте таблицю даних Онлайн-консультація

Деталі продукту Документи на продукт Технічна підтримка

Наші переваги

Надвисокочастотна продуктивність з fT до 1100 МГц для УКХ-радіочастотних застосувань
Низький рівень шуму для чіткого посилення сигналу
Кілька варіантів групування hFE для точного узгодження схеми
Мініатюрний корпус SOT‑23 для компактного проектування радіочастотного модуля
Стабільна та стабільна радіочастотна продуктивність у високочастотних ланцюгах
Стрічково-котушкове пакування ідеально підходить для автоматизованого поверхневого монтажу

Опис

ОСОБЛИВОСТІ

NPN радіочастотний транзистор
Низький рівень шуму
Добуток смуги пропускання з високим коефіцієнтом посилення струму: fT = 800–1100 МГц
Корпус SOT‑23 для поверхневого монтажу
hFE grading: T32(60–120), T33(90–180), T34(120–240)
VCBO = 30 В, VCEO = 15 В, VEBO = 5 В
Безперервний струм колектора: IC = 50 мА
Розсіювання потужності: ПК = 0.15 Вт
Температура з'єднання: від −55℃ до +125℃

додатків

УКХ-радіочастотні підсилювачі
Схеми локальних генераторів
Етапи змішувача
Обробка високочастотних сигналів
Модулі радіочастотного зв'язку
Портативне бездротове обладнання
Системи приймачів-передавачів УКХ-діапазону

ІМ'Я

назва

Опис

2SC2757 T33 SOT-23 .pdf

Даташит

Підтримка

Служба гарячої лінії

тел .: + 86 755 83044319

Whatsapp: + 8618073002950

ShenzhenSLKORКомпанія «МікроСемікон», ТОВ

SLKORЛінійки продукції Росії включають дискретні пристрої тощо, діоди, транзистори, силові пристрої; мікросхеми інтегральних схем тощо, лінійні регулятори, мікросхеми постійного/постійного струму, інтерфейсні мікросхеми, датчики Холла, АЦП та BMS... Ми маємо роки накопиченого досвіду технологій для виділених напівпровідників.