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氮化镓（GaN）器件的结构和制造工艺
2023-09-09
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由于外延结构的差异，氮化镓（GaN）功率器件和硅基功率器件的特性存在根本性差异。本文从外延结构的角度对GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）和硅基金属氧化物半导体（MOS）晶体管进行了全面比较。此外，本文还比较了增强型和耗尽型GaN HEMT结构，总结了结构差异所决定的特性。同时，本文还描述了GaN功率器件的外延工艺和制造工艺，以加深对GaN功率器件技术的理解。基于对GaN功率器件结构和工艺的理解，本文对不同半导体材料以及采用不同衬底材料的GaN HEMT的特性进行了比较分析。
应该如何应对芯片行业的问题？
2023-09-09
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在全球面临诸多严峻危机（例如战争、气候变化、人口老龄化和供应链中断）以及对更高流动性、可靠能源和医疗保健的需求日益增长的背景下，半导体在全球舞台上的作用从未像现在这样重要。在今年五月由imec主办的ITF世界大会上，来自全球领先企业的管理人员分享了他们对半导体行业未来发展的看法。本文将总结他们对未来几年半导体行业主要趋势、挑战和可能解决方案的见解。
应该如何应对芯片行业的问题？
2023-09-09
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在全球面临诸多严峻危机（例如战争、气候变化、人口老龄化和供应链中断）以及对更高流动性、可靠能源和医疗保健的需求日益增长的背景下，半导体在全球舞台上的作用从未像现在这样重要。在今年五月由imec主办的ITF世界大会上，来自全球领先企业的管理人员分享了他们对半导体行业未来发展的看法。本文将总结他们对未来几年半导体行业主要趋势、挑战和可能解决方案的见解。
应该如何应对芯片行业的问题？
2023-09-09
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在全球面临诸多严峻危机（例如战争、气候变化、人口老龄化和供应链中断）以及对更高流动性、可靠能源和医疗保健的需求日益增长的背景下，半导体在全球舞台上的作用从未像现在这样重要。在今年五月由imec主办的ITF世界大会上，来自全球领先企业的管理人员分享了他们对半导体行业未来发展的看法。本文将总结他们对未来几年半导体行业主要趋势、挑战和可能解决方案的见解。
为什么人工智能开发者们都这么疯狂？
2023-09-06
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结语 坦白说，我自己也尝试过很多人工智能应用，其中很多都声称是人工智能，但实际上是由“人工愚蠢”开发的。例如，Midjourney 最初无法画画，但是
为什么人工智能开发者们都这么疯狂？
2023-09-06
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只有不断前进，事实上，无论是北京大学开发的大规模法律模型ChatLaw，还是金山软件的WPS AI，甚至是百度文心一语——这款应用在正式发布24小时内下载量就超过百万——这些都可能……
NVIDIA 时代是如何随着 ChatGPT 的“空投”而到来的？
2023-09-06
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ChatGPT呈指数级增长。ChatGPT由OpenAI于2022年11月30日发布，迅速风靡全球。它在创纪录的时间内就达到了1亿活跃用户，比Facebook用了54个月，X（旧Twitter）用了49个月，Instagram用了更短的时间。
NVIDIA 时代是如何随着 ChatGPT 的“空投”而到来的？
2023-09-06
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2023年第二季度半导体制造商销售收入排名 2023年8月14日，美国研究公司半导体情报（Semiconductor Intelligence）发布了2023年第二季度销售收入排名前15的半导体制造商排名。
SiC MOSFET功率器件的发展背景及优势
2023-09-06
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SiC功率器件的发展背景 我们知道，将SiC应用于功率器件可以实现低损耗功率转换，这是传统Si功率器件无法实现的。不难看出，这是SiC功率器件发展的主要原因之一。
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功率半导体开启碳化硅时代（第三部分）
2023-09-05
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受汽车终端市场需求增长和与硅价格持平的推动，碳化硅 (SiC) 的生产正在快速发展。数以千计的功率半导体模块已被应用于电动汽车的车载充电、牵引逆变器和直流-直流转换等领域。目前，这些模块大多采用硅基 IGBT 制造。然而，向 SiC 基 MOSFET 的转变，使得功率密度翻倍，开关速度更快，封装尺寸更小、重量更轻。电动汽车和充电站对高电压以及高温恶劣环境下的运行要求日益提高。然而，由于宽禁带材料的制造和封装成本较高，碳化硅 (SiC) 的市场地位仍需一段时间才能稳固确立。尽管如此，这种情况正在发生变化。PowerAmerica 执行董事兼首席技术官 Victor Veliadis 表示，SiC 功率模块的价格现在已与硅基模块相当，这反过来又促进了供应合作伙伴关系的建立和新 SiC 工厂的建设。但仍有许多工作要做。碳化硅晶圆技术亟需升级。制造这些器件需要20%的新型工艺设备和80%的改进型设备。我们的目标是加快集成和分立式功率器件的周转速度，因此汽车制造商正转向与代工厂开展从晶圆到模块的直接合作。
功率半导体开启碳化硅时代（第二部分）
2023-09-05
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受汽车终端市场需求增长和与硅价格持平的推动，碳化硅 (SiC) 的生产正在快速发展。数以千计的功率半导体模块已被应用于电动汽车的车载充电、牵引逆变器和直流-直流转换等领域。目前，这些模块大多采用硅基 IGBT 制造。然而，向 SiC 基 MOSFET 的转变，使得功率密度翻倍，开关速度更快，封装尺寸更小、重量更轻。电动汽车和充电站对高电压以及高温恶劣环境下的运行要求日益提高。然而，由于宽禁带材料的制造和封装成本较高，碳化硅 (SiC) 的市场地位仍需一段时间才能稳固确立。尽管如此，这种情况正在发生变化。PowerAmerica 执行董事兼首席技术官 Victor Veliadis 表示，SiC 功率模块的价格现在已与硅基模块相当，这反过来又促进了供应合作伙伴关系的建立和新 SiC 工厂的建设。但仍有许多工作要做。碳化硅晶圆技术亟需升级。制造这些器件需要20%的新型工艺设备和80%的改进型设备。我们的目标是加快集成和分立式功率器件的周转速度，因此汽车制造商正转向与代工厂开展从晶圆到模块的直接合作。
功率半导体开启碳化硅时代（第一部分）
2023-09-05
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受汽车终端市场需求增长和与硅价格持平的推动，碳化硅 (SiC) 的生产正在快速发展。数以千计的功率半导体模块已被应用于电动汽车的车载充电、牵引逆变器和直流-直流转换等领域。目前，这些模块大多采用硅基 IGBT 制造。然而，向 SiC 基 MOSFET 的转变，使得功率密度翻倍，开关速度更快，封装尺寸更小、重量更轻。电动汽车和充电站对高电压以及高温恶劣环境下的运行要求日益提高。然而，由于宽禁带材料的制造和封装成本较高，碳化硅 (SiC) 的市场地位仍需一段时间才能稳固确立。尽管如此，这种情况正在发生变化。PowerAmerica 执行董事兼首席技术官 Victor Veliadis 表示，SiC 功率模块的价格现在已与硅基模块相当，这反过来又促进了供应合作伙伴关系的建立和新 SiC 工厂的建设。但仍有许多工作要做。碳化硅晶圆技术亟需升级。制造这些器件需要20%的新型工艺设备和80%的改进型设备。我们的目标是加快集成和分立式功率器件的周转速度，因此汽车制造商正转向与代工厂开展从晶圆到模块的直接合作。
晶体管基础知识及工作原理
2022-12-07
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它的共同特点是具有三个电极，这也是“三极管”这一缩写的由来。一般来说，三极管的内部结构是由P型半导体和N型半导体组成的三层结构，根据层级顺序可分为NPN型和PNP型。
TVS二极管的功能是什么？
2022-11-18
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TVS管是一种高效的保护器件。当两端受到瞬时高能量冲击时，TVS管能瞬间将其高阻特性转变为低阻特性，吸收大电流，钳位TVS管两端电压。在一定值（TVS管的耐压值）下，保护后级电路免受瞬态高能量的冲击，保护电路的安全。如下所示。简单来说，如果电路能承受的电压冲击不高于DC24V，那么就在电源处焊一个26V的TVS管。当电源电压不超过26V时，TVS管处于高阻状态；当高于26V的脉冲后，TVS管能快速将电路电压钳位至24V，从而保证电路板的安全。
粤公网安备44030002007346号