الصفحة الرئيسية الحلول تسليط الضوء اليومي SL2309 P-قناة 60 فولت (DS) MOSFET

SL2309 P-قناة 60 فولت (DS) MOSFET

2023-06-26 41

اليوم سوف نقدم لكم SL2309 سوت 23-3 Medium-الجهد االكهربى P- قناة طاقة MOSFET من سلكور.

الوصف

وضع تعزيز قناة P-MOSFET

Fأكل

?يتوفر خيار خالي من الهالوجين

?ترانزفتات ترانزفتات الطاقة؟

الاستخدامات

?تبديل الحمل

?تطبيقات PWM

?إدارة الطاقة

بيانات مرجعية سريعة

رمز	معامل	الشروط	اكثر شئ	وحدة
V_DS	استنزاف مصدر الجهد	T_مع = 25 درجة مئوية	-60	V
V_GS	بوابة مصدر الجهد	T_مع = 25 درجة مئوية	± 20	V
I_D	استنزاف الحالي	T_مع = 25 درجة مئوية V_GS = -10 فولت	-1.6	A
R_ديسون	استنزاف مصدر المقاومة على الدولة	T_j = 25 درجة مئوية V_GS = -10 فولت I_D= -1.5 A	140	مΩ

حول سلكور

بفريق متميّز من جامعة تسينغهوا الصينية المرموقة وجامعة سيول يونسي الكورية، تُكرّس شركة شنتشن سلكور مايكرو سيميكون المحدودة جهودها لتطوير الجيل الثالث من أجهزة الطاقة المصنوعة من أشباه الموصلات المصنوعة من كربيد السيليكون (SiC) وأجهزة أشباه الموصلات التقليدية. نتميز بالمنهجيات ذات الصلة، والمواد، والتقنيات، والمنتجات الجديدة. تشمل منتجاتنا الأجهزة المنفصلة، والدوائر المتكاملة (IC)، والثنائيات، والترانزستورات، وأجهزة الطاقة، ورقائق إدارة الطاقة، والرقائق التناظرية. إلخ. تحت القيادة القوية للسيد Song Shiqiang، الرئيس التنفيذي لشركة Slkor، بدأ من منزل تصميم IP، أصبحت Slkor الآن مؤسسة وطنية عالية التقنية تغطي خدمة البحث والتطوير والإنتاج والمبيعات لأجهزة أشباه الموصلات. توفر Slkor معادلات محلية عالية الجودة لأشباه الموصلات من كبار اللاعبين الدوليين. للحصول على الخدمات السريعة، تمتلك Slkor متجرين رئيسيين في وادي الأجهزة الشهير عالميًا Shenzhen Huaqiangbei.

SL2309إلى صفحة المنتج

BSS123 N-Channel TrenchMOS الترانزستور المستوى المنطقي FET

لتالي

يستخدم SSL80N10 MOSFET تقنية الخندق المتقدمة لتوفير RDS(ON) ممتاز وشحن بوابة منخفض. يمكن استخدامه في مجموعة واسعة من التطبيقات.