خط تلفن خدمات
آقای سونگ شیچیانگ، مدیر کل Slkor (www.slkoric.com) بیان کرد که پیشرفت اجتماعی توسط پیشرفت های پی در پی در فناوری هدایت می شود که باعث دگرگونی روابط تولیدی و توسعه اجتماعی-اقتصادی می شود. با اهرم بازار بزرگ داخلی و چرخه اقتصادی داخلی، فرصت بسیار خوبی برای «جایگزینی داخلی» در زمینه قطعات الکترونیکی و محصولات اطلاعات الکترونیکی وجود دارد. برای اینکه ملت چین دوباره قیام کند و به جوانسازی بزرگ دست یابد، استفاده از فرصت "چرخه کانگبو" آینده و تقویت توسعه صنعت اطلاعات الکترونیکی برای ارتقای رشد اقتصادی ضروری است. دستیابی به "قابلیت کنترل بومی" در گره های کلیدی تکنولوژیکی بسیار مهم است. Slkor به عنوان یک شرکت نیمه هادی معروف، محصولات متنوعی مانند ماسفت ها را برای رفع نیازهای کاربردهای مختلف ارائه می دهد.

ترانزیستور اثر میدانی کاربید سیلیکون نیمه هادی Slkor

عکس محصول Slkor MOSFET SL9945 ولتاژ متوسط
Slkor SL9945 یک ماسفت با کانال N+N با ولتاژ منبع تخلیه 60 ولت و جریان تخلیه پیوسته 3.6 آمپر است. این به دلیل مقاومت کم (89mΩ @ 10V، 3.6A) و ولتاژ آستانه نسبتا پایین (1V @250uA) مشهور است. ماسفت ولتاژ متوسط SL9945 بر معایب FET های سنتی مانند مقاومت بالای منبع تخلیه، امپدانس ورودی متوسط و سرعت عملکرد پایین تر غلبه می کند. این پشتیبانی قوی برای عملکرد کارآمد و پایدار تجهیزات ارتباطی فراهم می کند.
مشخصات ماسفت ولتاژ متوسط Slkor مدل SL9945
La SLKOR SL9945 یک MOSFET کانال N+N است که از نظر قابلیت درایو، پایداری، قابلیت ضد تداخل و قدرت خروجی سیگنال، نسبت به یک MOSFET تک کانال N برتری دارد. در مقایسه با یک MOSFET تک کانال N، MOSFET کانال N+N از جنبههای مختلف مزایای قابل توجهی را نشان میدهد. اولاً، از نظر قابلیت درایو، اتصال موازی دو MOSFET کانال N در پیکربندی N+N به طور قابل توجهی قابلیت درایو را افزایش میدهد و امکان درایو آسان بارهای بزرگتر را فراهم میکند. ثانیاً، در پایداری، طراحی کانال N+N منجر به بهبود قابل توجه پایداری حرارتی میشود و آن را قادر میسازد تا در برابر سطوح بالاتر گرما مقاومت کند. ثالثاً، در قابلیت ضد تداخل، MOSFET کانال N+N مقاومت روشن کمتری دارد، بنابراین قابلیت ضد تداخل بهتری را نشان میدهد. در نهایت، در قدرت خروجی سیگنال، ترانزیستور اثر میدانی کانال N+N رسانایی بالایی دارد که منجر به قدرت خروجی سیگنال بزرگتر و توانایی درایو همزمان انواع مختلف دستگاههای مدار بار میشود. در نتیجه، این مزایا باعث میشود MOSFET کانال N+N به طور گسترده در زمینههایی که نیاز به عملکرد و پایداری بالا دارند مانند مدارهای الکترونیکی، دستگاههای ارتباطی، تجهیزات کامپیوتری، دستگاههای پزشکی و موارد دیگر کاربرد داشته باشد.
پارامترهای ماسفت ولتاژ متوسط Slkor مدل SL9945
کاربرد SLKOR ماسفتهای ولتاژ متوسط در دستگاههای ارتباطی شامل عملکردهایی مانند پردازش و تقویت سیگنال، کنترل و تنظیم توان، سنتز فرکانس و مدولاسیون هستند. این ماسفتها با بهرهگیری از ویژگیهای سوئیچینگ پرسرعت و عملکرد کمنویز، پردازش سیگنال کارآمد و تقویت دقیق را تسهیل میکنند و در نتیجه کیفیت سیگنال و راندمان انتقال را در تجهیزات ارتباطی افزایش میدهند. با کنترل دقیق حالتهای هدایت و قطع ماسفتهای ولتاژ متوسط، میتوان به تنظیم دقیق توان دست یافت تا عملکرد پایدار دستگاههای ارتباطی را در شرایط مختلف تضمین کرد. علاوه بر این، عملکرد فرکانس بالای ماسفتهای ولتاژ متوسط آنها را قادر میسازد تا سیگنالهای فرکانس بالا را مدیریت کنند، سنتز و مدولاسیون فرکانس دقیق را تسهیل کنند و در نتیجه استفاده از طیف و کیفیت ارتباط را بهبود بخشند.
هنگام انتخاب SLKOR برای MOSFET ولتاژ متوسط SL9945، در نظر گرفتن طیف وسیعی از پارامترهای الکتریکی کلیدی برای اطمینان از اینکه MOSFET انتخاب شده میتواند به طور موثر الزامات طراحی ما را برآورده کند، بسیار مهم است. ابتدا، باید مشخص کنیم که آیا PMOS یا NMOS را انتخاب کنیم. PMOS و NMOS اصول و ویژگیهای عملکردی متفاوتی دارند، بنابراین برای کاربردهای مختلف مناسب هستند. PMOS در درجه اول در مدارهای بار و سوئیچ استفاده میشود، در حالی که NMOS کاربردهای گستردهای در مدارهای دیجیتال و آنالوگ دارد.
آقای Song Shiqiang، مدیر کل Slkor
افتخارات و دستاوردهای Slkor
درباره اسلکور :
Slkor (www.slkoric.com) طیف وسیعی از محصولات رده بالا از جمله دیودهای سیلیکون کاربید (SiC)، ماسفتهای SiC، IGBTها، دیودهای قدرت بازیابی فوق سریع نسل پنجم و موارد دیگر را ارائه میدهد و به صنایعی مانند وسایل نقلیه با انرژی جدید، تجهیزات رده بالا، دستگاههای قدرت ارتباطی، فتوولتائیکهای خورشیدی، تجهیزات پزشکی و اتوماسیون صنعتی خدمات ارائه میدهد. محصولات عمومی آنها شامل دیودهای شاتکی، دیودهای محافظ ESD، دیودهای سرکوب گذرا TVS، دیودهای عمومی و ترانزیستورها است. آنها همچنین دستگاههای قدرت مانند MOSFETهای ولتاژ بالا، متوسط و پایین، یکسوکنندههای کنترلشده سیلیکونی، پشتههای پل و همچنین تراشههای مدیریت توان مانند LDOها، مبدلهای AC-DC، تراشههای ADC را به همراه محصولات مکمل مانند سنسورهای هال، اپتوکوپلرهای پرسرعت، نوسانسازهای کریستالی و موارد دیگر ارائه میدهند. این محصولات کاربردهای گستردهای در تلفنهای هوشمند، لپتاپها، رباتها، خانههای هوشمند، اینترنت اشیا، روشنایی LED، لوازم الکترونیکی مصرفی، دستگاههای پوشیدنی و سایر محصولات هوشمند به هم پیوسته دارند!




粤公网安备44030002007346号