สาเหตุของไข้หลอด MOS คืออะไร?

การทำความร้อนด้วยท่อ MOS เป็นปัญหาทั่วไปในวงจรซึ่งมักรบกวนจิตใจเรา ต่อไป ซีรีส์เล็กๆ จะสรุปปัญหาและเหตุผลหลายประการของการทำความร้อนด้วยท่อ MOS:

สาเหตุของไข้ MOS คืออะไร? 110 ไม่ร้อนมาก แต่ 220V ร้อนมากตอนเข้า

ปัญหาไม่ได้มีรายละเอียดเพียงพอ แต่โดยทั่วไปแล้วการให้ความร้อนด้วยท่อมอสมีหลายประเภท: 1. ภาระที่มากเกินไปจะทำให้หลอดมอสได้รับความร้อนเกินในปัจจุบัน 2. สัญญาณกระตุ้นการขับขี่ไม่เพียงพอ ส่งผลให้ท่อมอสร้อนขึ้น 3. หากสัญญาณกระตุ้นแรงเกินไป หลอดมอสก็จะร้อนขึ้นเช่นกัน โดยทั่วไปอุณหภูมิในการทำงานของหลอดมอสจะต่ำกว่า 120 องศาเซลเซียส และทุกหลอดก็สามารถทำงานได้ปกติจะไม่เกิน 70 องศาไม่ อุณหภูมิในการทำงานสูงสุดของหลอด mos ส่วนใหญ่อยู่ที่ต่ำกว่า 120 องศา แต่ก็ไม่แน่นอน และบางหลอดก็มีอุณหภูมิในการทำงานต่ำ บ้างก็ทำงานได้หลายร้อยองศา

ท่อ MOS จะร้อนขึ้นเมื่อใช้งานได้ปกติหรือไม่? ข้อใดคือการเชื่อมต่อและพินที่ถูกต้องของทรานซิสเตอร์ P-channel MOS ?

สาเหตุของการให้ความร้อนกับท่อ MOS:

1. ปัญหาของการออกแบบวงจรคือการทำให้หลอด MOS ทำงานในสถานะการทำงานเชิงเส้น ไม่ใช่ในสถานะสวิตชิ่ง นี่เป็นหนึ่งในสาเหตุของการให้ความร้อนกับท่อ MOS หากใช้ N-MOS เป็นสวิตช์ แรงดันไฟฟ้าของ G-stage จะต้องสูงกว่าแหล่งจ่ายไฟหลาย V ก่อนจึงจะสามารถเปิดได้เต็มที่ ในขณะที่ P-MOS จะตรงกันข้าม แรงดันไฟฟ้าตกมากเกินไปเมื่อเปิดไม่สุด ส่งผลให้สิ้นเปลืองพลังงาน อิมพีแดนซ์ DC ที่เทียบเท่านั้นค่อนข้างใหญ่ และแรงดันตกคร่อมจะเพิ่มขึ้น ดังนั้น U*I ก็เพิ่มขึ้นด้วย และการสูญเสียหมายถึงความร้อน

2. ความถี่สูงเกินไป สาเหตุหลักมาจากการแสวงหาปริมาตรมากเกินไปในบางครั้ง ซึ่งนำไปสู่การเพิ่มความถี่และการสูญเสียบนท่อ MOS ดังนั้นการสร้างความร้อนก็เพิ่มขึ้นเช่นกัน

3. กระแสสูงเกินไปและมีการออกแบบการกระจายความร้อนไม่เพียงพอ โดยทั่วไปค่ากระแสที่ระบุของหลอด MOS จะต้องมีการกระจายความร้อนที่ดีกว่าเพื่อให้บรรลุผล ดังนั้นหาก ID น้อยกว่ากระแสสูงสุด ความร้อนอาจรุนแรงและจำเป็นต้องมีครีบเสริมเพียงพอ

4. การเลือกหลอด MOS ไม่ถูกต้อง การตัดสินกำลังไฟฟ้าที่ไม่ถูกต้อง การพิจารณาความต้านทานภายในของหลอด MOS ไม่เพียงพอ ส่งผลให้ความต้านทานการสลับเพิ่มขึ้น

ฉันใช้ 34063 เป็นรูปแบบสเต็ปดาวน์ จากนั้นใช้หลอด MOS เป็นตัวกระจายสัญญาณ และอินพุต 12v-?

หลอด MOS ไม่อิ่มตัวและมีแรงดันตกคร่อมสูง สาเหตุอาจเกิดจากปัญหาการขับของท่อ MOS ดังนั้นจึงควรเพิ่มระยะกลางเข้าไป ความถี่การสั่นต่ำเกินไป ตัวเหนี่ยวนำการจัดเก็บพลังงานน้อยเกินไปหรือตัวเหนี่ยวนำการรั่วไหลมีขนาดใหญ่เกินไป

ทำไม MOSFET ในวงจร BUCK ของฉันถึงร้อนมาก?

มอสกำลังร้อนแรง มันคงเป็นการสูญเสียพลังงาน สาเหตุก็คือมันไม่ทำงานในสถานะสวิตช์ตรวจสอบไดรฟ์ MOS ว่ากระแสไฟของไดรฟ์เพียงพอหรือไม่ และแรงดันไฟฟ้าเพียงพอหรือไม่นอกจากนี้ อย่าใช้ 1N4007 สำหรับ D1 ควรใช้สวิตช์ไดโอดที่เร็วกว่า เช่น SK34 จะดีกว่า ฉันคิดว่าเป็นเรื่องปกติที่เจ้าของอาคารจะร้อนขึ้น ท่อระบายและแหล่งกำเนิดของ mosFET มีแรงดันตก Vds แรงดันไฟฟ้านี้คูณด้วยกระแสเดรนจะทำให้เกิดการใช้พลังงาน ดังนั้นมันจะร้อนขึ้น หวังว่าคงช่วยให้เจ้าของอาคารร้อนขึ้นได้เพราะกระแสน้ำแรงเกินไป กระแสไฟเกือบ 1A ที่แรงดัน 1V เปลี่ยนท่อมอส เหตุใดเอาต์พุตจึงไม่เชื่อมต่อกับตัวเก็บประจุเพื่อกักเก็บและกรองพลังงาน? ?

อะไรคือสาเหตุของการเบิร์น MOSFET ในแหล่งจ่ายไฟของทีวี?

ไม่ว่าแหล่งจ่ายไฟจะเป็นอะไรก็ตาม มีเพียงสามเหตุผลที่ทำให้หลอด MOS ไหม้: แรงดันไฟเกิน กระแสไฟเกิน และความร้อนสูงเกินไปเมื่อออกแบบผลิตภัณฑ์ ฝ่ายวิจัยและพัฒนาจะพิจารณากระจกลูปการทำงานของ MOSFET ซึ่งสามารถแก้ไขจุดกระแสเกินจากโหลดเบาไปจนถึงโหลดเต็ม จุดแรงดันไฟเกินจากแรงดันต่ำถึงแรงดันสูง และจุดอุณหภูมิสูงเกินไปเป็นเวลานานเวลาระเบิดควรพิจารณาว่าโวลเตจลูปและลูปกระแสเป็นลูปเปิดหรือไม่ เป็นต้น!หากจะระเบิดอีกก็ต้องพิจารณาถึงสาเหตุของอุณหภูมิเกิน เช่น MOS การสูญเสียความถี่สูง การสูญเสียหม้อแปลง การกระจายความร้อน เป็นต้น!

โทรศัพท์บริษัท: +86-0755-83044319แฟกซ์/แฟกซ์:+86-0755-83975897
อีเมล์: 1615456225@qq.com
QQ: 332496225 ผู้จัดการชิว
ที่อยู่: ห้อง 809 บล็อก C อาคารเทคโนโลยี Zhantao เลขที่ 1079 Minzhi Avenue เขตหลงหัวใหม่ เซินเจิ้น