บริการสายด่วน
ข้อดีของไดโอด TVS เหนือผลิตภัณฑ์อื่นที่คล้ายคลึงกันมีอะไรบ้าง
2022-11-09
968
ไดโอด TVS vsซีเนอร์ไดโอด:เมื่อเทียบกับไดโอดซีเนอร์แบบดั้งเดิม ไดโอด TVS มีพื้นที่เชื่อมต่อ P/N ที่ใหญ่กว่า การปรับปรุงโครงสร้างนี้ช่วยให้ TVS มีความสามารถในการทนแรงดันไฟฟ้าสูงที่แข็งแกร่งขึ้น ขณะเดียวกันก็ลดอัตราการตัดแรงดันไฟฟ้าลง จึงมีประสิทธิภาพในการปกป้องความปลอดภัยของวงจรแรงดันไฟฟ้าต่ำของอุปกรณ์พกพาได้ดียิ่งขึ้น
ไดโอด TVS และตัวเก็บประจุเซรามิก: นักออกแบบหลายคนนิยมใช้ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบติดตั้งบนพื้นผิวเพื่อป้องกันไฟฟ้าสถิต (ESD) ซึ่งมีราคาไม่แพงและออกแบบได้ง่าย แต่อุปกรณ์เหล่านี้ค่อนข้างอ่อนแอต่อแรงดันไฟฟ้าสูง แรงดันไฟฟ้า 5 กิโลโวลต์จะทำให้ตัวเก็บประจุเซรามิกเสียหายประมาณ 10% และที่แรงดันไฟฟ้า 10 กิโลโวลต์ อัตราความเสียหายสูงถึง 60% ในขณะที่ไดโอด TVS สามารถทนแรงดันไฟฟ้าได้ 15 กิโลโวลต์ ในการใช้งานอุปกรณ์พกพา เนื่องจากต้องสัมผัสกับร่างกายมนุษย์บ่อยครั้ง พอร์ตแต่ละพอร์ตต้องสามารถทนต่อแรงกระแทกจากการสัมผัสอย่างน้อย 8 กิโลโวลต์ (มาตรฐาน IEC61000-4-2) จะเห็นได้ว่าการใช้ไดโอด TVS ช่วยให้มั่นใจได้ถึงอัตราการผ่านของผลิตภัณฑ์ขั้นสุดท้ายได้อย่างมีประสิทธิภาพ
ไดโอด TVS และ MLV: อุปกรณ์โครงสร้างโลหะออกไซด์หลายชั้น (MLV) สามารถป้องกันไฟกระชากแรงดันสูงชั่วขณะได้อย่างมีประสิทธิภาพ อุปกรณ์เหล่านี้มีความสัมพันธ์ระหว่างแรงดันไฟฟ้าและกระแสไฟฟ้าแบบไม่เชิงเส้น (ประสิทธิภาพอิมพีแดนซ์) และแรงดันตัดสามารถสูงถึง 2 ~ 2 ~ ของแรงดันตัดเริ่มต้น คุณสมบัตินี้เหมาะสำหรับการป้องกันสายไฟและอุปกรณ์ที่ไวต่อแรงดันไฟฟ้าน้อยกว่า เช่น วงจรไฟฟ้า ในทางกลับกัน ไดโอด TVS มีค่าตัวประกอบแรงดันตัดที่ดีกว่าและความจุต่ำกว่า ซึ่งสำคัญมากสำหรับพอร์ตความถี่สูงของอุปกรณ์พกพา เนื่องจากความจุที่สูงเกินไปอาจส่งผลกระทบต่อการส่งข้อมูล ทำให้เกิดการบิดเบือนหรือเสื่อมสภาพ
แพ็คเกจพื้นผิวต่างๆ ของไดโอด TVS เหมาะสำหรับความต้องการของสายการประกอบ และโครงสร้างชิปนั้นสามารถรวมฟังก์ชันอื่นๆ ได้อย่างง่ายดาย เช่น การป้องกันตัวกรอง EMI และ RFI ซึ่งสามารถลดต้นทุนของอุปกรณ์ได้อย่างมีประสิทธิภาพและเพิ่มประสิทธิภาพการออกแบบโดยรวม
อีกคุณสมบัติหนึ่งที่มองข้ามไม่ได้คือไดโอดสามารถผสานรวมกับอุปกรณ์อื่นๆ บนชิปได้อย่างง่ายดาย มีอุปกรณ์มากมายที่ผสานฟังก์ชันต่างๆ เช่น การกรอง EMI และการป้องกัน RFI เข้ากับ TVS ซึ่งไม่เพียงแต่ช่วยลดจำนวนอุปกรณ์ที่ใช้ในการออกแบบและลดต้นทุนเท่านั้น แต่ยังหลีกเลี่ยงค่าเหนี่ยวนำที่เกิดขึ้นได้ง่ายเมื่อเดินสายบนแผงวงจรพิมพ์
ไดโอด TVS และตัวเก็บประจุเซรามิก: นักออกแบบหลายคนนิยมใช้ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบติดตั้งบนพื้นผิวเพื่อป้องกันไฟฟ้าสถิต (ESD) ซึ่งมีราคาไม่แพงและออกแบบได้ง่าย แต่อุปกรณ์เหล่านี้ค่อนข้างอ่อนแอต่อแรงดันไฟฟ้าสูง แรงดันไฟฟ้า 5 กิโลโวลต์จะทำให้ตัวเก็บประจุเซรามิกเสียหายประมาณ 10% และที่แรงดันไฟฟ้า 10 กิโลโวลต์ อัตราความเสียหายสูงถึง 60% ในขณะที่ไดโอด TVS สามารถทนแรงดันไฟฟ้าได้ 15 กิโลโวลต์ ในการใช้งานอุปกรณ์พกพา เนื่องจากต้องสัมผัสกับร่างกายมนุษย์บ่อยครั้ง พอร์ตแต่ละพอร์ตต้องสามารถทนต่อแรงกระแทกจากการสัมผัสอย่างน้อย 8 กิโลโวลต์ (มาตรฐาน IEC61000-4-2) จะเห็นได้ว่าการใช้ไดโอด TVS ช่วยให้มั่นใจได้ถึงอัตราการผ่านของผลิตภัณฑ์ขั้นสุดท้ายได้อย่างมีประสิทธิภาพ
ไดโอด TVS และ MLV: อุปกรณ์โครงสร้างโลหะออกไซด์หลายชั้น (MLV) สามารถป้องกันไฟกระชากแรงดันสูงชั่วขณะได้อย่างมีประสิทธิภาพ อุปกรณ์เหล่านี้มีความสัมพันธ์ระหว่างแรงดันไฟฟ้าและกระแสไฟฟ้าแบบไม่เชิงเส้น (ประสิทธิภาพอิมพีแดนซ์) และแรงดันตัดสามารถสูงถึง 2 ~ 2 ~ ของแรงดันตัดเริ่มต้น คุณสมบัตินี้เหมาะสำหรับการป้องกันสายไฟและอุปกรณ์ที่ไวต่อแรงดันไฟฟ้าน้อยกว่า เช่น วงจรไฟฟ้า ในทางกลับกัน ไดโอด TVS มีค่าตัวประกอบแรงดันตัดที่ดีกว่าและความจุต่ำกว่า ซึ่งสำคัญมากสำหรับพอร์ตความถี่สูงของอุปกรณ์พกพา เนื่องจากความจุที่สูงเกินไปอาจส่งผลกระทบต่อการส่งข้อมูล ทำให้เกิดการบิดเบือนหรือเสื่อมสภาพ
แพ็คเกจพื้นผิวต่างๆ ของไดโอด TVS เหมาะสำหรับความต้องการของสายการประกอบ และโครงสร้างชิปนั้นสามารถรวมฟังก์ชันอื่นๆ ได้อย่างง่ายดาย เช่น การป้องกันตัวกรอง EMI และ RFI ซึ่งสามารถลดต้นทุนของอุปกรณ์ได้อย่างมีประสิทธิภาพและเพิ่มประสิทธิภาพการออกแบบโดยรวม
อีกคุณสมบัติหนึ่งที่มองข้ามไม่ได้คือไดโอดสามารถผสานรวมกับอุปกรณ์อื่นๆ บนชิปได้อย่างง่ายดาย มีอุปกรณ์มากมายที่ผสานฟังก์ชันต่างๆ เช่น การกรอง EMI และการป้องกัน RFI เข้ากับ TVS ซึ่งไม่เพียงแต่ช่วยลดจำนวนอุปกรณ์ที่ใช้ในการออกแบบและลดต้นทุนเท่านั้น แต่ยังหลีกเลี่ยงค่าเหนี่ยวนำที่เกิดขึ้นได้ง่ายเมื่อเดินสายบนแผงวงจรพิมพ์
คำแนะนำที่เกี่ยวข้อง




粤公网安备44030002007346号