Slkor đã tiết lộ diode bảo vệ chống tĩnh điện (ESD) thế hệ tiếp theo, SLESD9B3.3S, được thiết kế cho các thiết bị di động, bao gồm điện thoại thông minh, thiết bị đeo và thiết bị đầu cuối IoT. Được đóng gói theo định dạng DFN1006 nhỏ gọn, diode này cung cấp khả năng bảo vệ ESD tối ưu cho các thiết bị có điện áp hoạt động 3.3V, cân bằng giữa thiết kế thu nhỏ với khả năng bảo vệ hiệu suất cao cho các thiết bị tiên tiến như điện thoại thông minh 5G, điện thoại có thể gập lại và tai nghe nhét tai TWS cao cấp.

Bao bì mang tính cách mạng cho hiệu quả không gian và hiệu suất  

SLESD9B3.3S sử dụng gói DFN2.0 1.0mm x 1006mm hiệu suất cao với độ dày chỉ 0.4mm, kết hợp viền mỏng 0.25mm và khoảng cách giữa các miếng đệm 0.5mm. Thiết kế nhỏ gọn này tối ưu hóa bố cục dày đặc của bo mạch chủ điện thoại thông minh, cho phép lắp ráp chính xác với dung sai lắp đặt trong khoảng ±0.05mm. Lớp mạ dẫn điện trên thành bên của gói giúp tăng cường độ chính xác của kiểm tra quang học tự động (AOI), giảm thiểu rủi ro chất lượng trong sản xuất thiết bị di động cao cấp.

So với các gói SOT-23 truyền thống, gói DFN1006 giảm độ tự cảm ký sinh xuống dưới 0.15nH, cải thiện đáng kể khả năng truyền tín hiệu tốc độ cao. Thiết bị đạt được độ suy hao chèn dưới 0.05dB ở tần số 10GHz, cho phép đặt gần tới 1.5mm phía sau đầu nối USB-C để bảo vệ "khoảng cách bằng không" bên trong các thiết kế điện thoại thông minh được đóng gói chặt chẽ.

Thiết kế điện chính xác để giảm thiểu tác động đến tính toàn vẹn của tín hiệu  

SLESD9B3.3S có điện dung tiếp giáp thấp chỉ 10pF, mang lại độ ổn định hàng đầu trong ngành trong dải điện áp từ 2.7V đến 3.6V. Điều này đảm bảo nhiễu tối thiểu với các tín hiệu vi sai tốc độ cao như MIPI D-PHY và USB 3.1 Gen2. Trong các thử nghiệm thực tế, chẳng hạn như truyền video 4K@60Hz, biên độ tín hiệu của sơ đồ mắt vẫn giữ được 97.2% tính toàn vẹn tín hiệu ban đầu, thể hiện hiệu suất vượt trội của thiết bị trong các ứng dụng thực tế.

Hơn nữa, quy trình pha tạp từng bước của diode tạo ra vùng suy giảm điện tích gradient tại vùng tiếp giáp PN, đảm bảo điện áp hoạt động ngược ổn định (VRWM = 3.3V) và dòng rò (IR) chỉ 0.01μA. Dòng rò thấp này, ngay cả khi hoạt động liên tục ở 85°C trong 2000 giờ, giúp duy trì tuổi thọ pin trong các thiết bị yêu cầu thời gian chờ cực dài, chẳng hạn như đồng hồ thông minh và thiết bị theo dõi sức khỏe.

Đặc điểm phản ứng động và bảo vệ nâng cao  

SLESD9B3.3S được thiết kế với cơ chế kích hoạt chế độ kép đảm bảo đánh thủng tuyết lở chính xác ở mức 5V, duy trì điện áp kẹp ổn định ở mức 8.5V trong quá trình thử nghiệm phóng điện tiếp xúc ±15kV theo tiêu chuẩn IEC 61000-4-2. Cấu trúc composite đường hầm lượng tử được cấp bằng sáng chế của thiết bị cho phép chuyển đổi nhanh chóng từ trạng thái điện trở cao sang trạng thái điện trở thấp trong vòng chưa đầy 50ps, đảm bảo dao động kẹp điện áp ở mức tối thiểu ngay cả trong thử nghiệm xung sóng hỗn hợp. Thiết bị có thể hấp thụ dòng điện cực đại lên đến 35A một cách an toàn với điện trở động (Rdyn) thấp tới 0.6Ω, mang lại khả năng bảo vệ mạnh mẽ chống lại cả ESD và nhiễu nguồn - yếu tố quan trọng đối với điện thoại thông minh màn hình gập và các thiết bị hiện đại khác.

Xu hướng thị trường và triển vọng tương lai  

Khi công nghệ điện thoại thông minh ngày càng phát triển, với việc áp dụng công nghệ sóng milimet 5G, màn hình gập và giao tiếp băng thông siêu rộng UWB, độ phức tạp của các mạch thiết bị ngày càng tăng. Thị trường thiết bị đầu cuối thông minh với giao diện tốc độ cao dự kiến ​​sẽ vượt quá 85 tỷ đô la vào năm 2026, thúc đẩy đáng kể nhu cầu về các giải pháp bảo vệ ESD tiên tiến.

Tận dụng chuyên môn của mình trong lĩnh vực bán dẫn phức hợp, Slkor đang nghiên cứu phát triển các thiết bị bảo vệ thế hệ tiếp theo dựa trên vật liệu GaN, giúp giảm điện dung tiếp giáp xuống mức 5pF. SLESD9B3.3S được định vị là yếu tố then chốt thúc đẩy sự chuyển đổi công nghệ này, nâng tầm bảo vệ ESD từ phòng thủ cơ bản lên tối ưu hóa hệ thống toàn diện. Là một phần trong nỗ lực rộng lớn hơn của ngành công nghiệp hướng tới các giải pháp tích hợp hơn, Slkor dự định tích hợp tính năng lọc nhiễu điện từ, bảo vệ quá áp và các chức năng khác vào các phiên bản tương lai của thiết bị, thiết lập một tiêu chuẩn mới cho bảo vệ mạch toàn diện trong các thiết bị di động.

Tóm lại, việc ra mắt SLESD9B3.3S đánh dấu bước tiến đáng kể trong công nghệ bảo vệ ESD, mang đến cho các nhà sản xuất thiết bị di động một giải pháp nhỏ gọn, hiệu suất cao, duy trì tính toàn vẹn của tín hiệu đồng thời bảo vệ chống lại hiện tượng phóng tĩnh điện và nhiễu nguồn, cùng khả năng thích ứng với các công nghệ mới trong tương lai.

Về Slkor:

SLKOR, có trụ sở chính tại Thâm Quyến, Trung Quốc, là một doanh nghiệp công nghệ cao quốc gia đang nổi lên nhanh chóng trong lĩnh vực bán dẫn điện. Với các trung tâm R&D tại Bắc Kinh và Tô Châu, đội ngũ kỹ thuật cốt lõi của công ty có nguồn gốc từ Đại học Thanh Hoa. Là một nhà đổi mới trong công nghệ thiết bị điện silicon carbide (SiC), SLKORCác sản phẩm của công ty được sử dụng rộng rãi trong xe năng lượng mới, sản xuất điện mặt trời, IoT công nghiệp và điện tử tiêu dùng, cung cấp các giải pháp bán dẫn quan trọng cho hơn 10,000 khách hàng trên toàn cầu. Công ty cung cấp hơn 2 tỷ đơn vị mỗi năm, với các MOSFET SiC và điốt SBD phục hồi siêu nhanh thế hệ thứ 5 thiết lập các tiêu chuẩn ngành về tỷ lệ hiệu suất và độ ổn định nhiệt. SLKOR nắm giữ hơn 100 bằng sáng chế phát minh và cung cấp hơn 2,000 mẫu sản phẩm, liên tục mở rộng danh mục IP của mình trên các thiết bị điện, cảm biến và IC quản lý điện. Các chứng nhận bao gồm ISO 9001, EU RoHS/REACH và tuân thủ CP65 chứng minh cam kết vững chắc của công ty đối với đổi mới công nghệ, sản xuất tinh gọn và phát triển bền vững.