Slkor 推出了其新一代靜電放電 (ESD) 保護二極體 SLESD9B3.3S，專為智慧型手機、穿戴式裝置和物聯網終端等行動裝置而設計。此二極體採用緊湊型 DFN1006 封裝，可為工作電壓為 3.3V 的裝置提供最佳的 ESD 保護，兼顧小型化設計與高效能保護，適用於 5G 智慧型手機、可折疊手機和高階 TWS 耳機等尖端裝置。

革命性的封裝技術，提升空間效率與性能  

SLESD9B3.3S 採用高效的 2.0mm × 1.0mm DFN1006 封裝，厚度僅為 0.4mm，並配備 0.25mm 窄邊框和 0.5mm 焊盤間距。這款小巧的設計優化了智慧型手機主機板的密集佈局，實現了精密組裝，貼裝誤差在 ±0.05mm 以內。封裝側壁上的導電鍍層提高了自動光學檢測 (AOI) 的精度，從而降低了高端行動裝置製造的品質風險。

與傳統的 SOT-23 封裝相比，DFN1006 封裝將寄生電感降低至 0.15nH 以下，顯著改善了高速訊號傳輸。該裝置在 0.05GHz 頻率下的插入損耗低於 10dB，因此可以放置在 USB-C 連接器後方近 1.5 毫米的位置，在緊湊的智慧型手機設計中實現「零距離」保護。

精密電氣設計，最大程度減少對訊號完整性的影響  

SLESD9B3.3S 的結電容僅為 10pF，在 2.7V 至 3.6V 的電壓範圍內提供業界領先的穩定性。這確保了對 MIPI D-PHY 和 USB 3.1 Gen2 等高速差分訊號的干擾最小。在 4K@60Hz 視訊傳輸等實際測試中，眼圖裕度保持了原始訊號完整性的 97.2%，展現了該裝置在實際應用中的卓越性能。

此外，此二極體的階梯摻雜製程在PN接面區域形成梯度電荷耗盡區，確保穩定的反向工作電壓（VRWM = 3.3V）和僅為0.01μA的漏電流（IR）。即使在85°C下連續工作2000小時，這種低漏電流也有助於延長智慧手錶和健康監測設備等需要超長待機時間的設備的電池壽命。

動態響應特性和增強保護  

SLESD9B3.3S 採用雙模式觸發機制，可確保在 5V 電壓下實現精確的雪崩擊穿，並在 ±8.5kV IEC 15-61000-4 接觸放電測試中保持 2V 的穩定箝位電壓。此元件的專利量子穿隧複合結構能夠在 50ps 以下的時間內從高阻狀態快速轉換為低阻狀態，即使在混合波脈衝測試中也能確保最小的箝位電壓波動。它能夠安全地吸收高達 35A 的峰值電流，動態電阻 (Rdyn) 低至 0.6Ω，提供強大的 ESD 和電源噪音防護——這對於可折疊智慧型手機和其他現代設備至關重要。

市場趨勢及未來展望  

隨著智慧型手機技術的發展，5G毫米波技術、可折疊螢幕、UWB超寬頻通訊等技術的採用，設備電路複雜度不斷提升，預計到85年，高速介面智慧終端市場規模將超過2026億美元，這將顯著拉動對先進ESD防護解決方案的需求。

Slkor憑藉著在化合物半導體領域的專業技術，正致力於開發基於GaN材料的新一代保護元件，該元件將進一步降低結電容至5pF量級。 SLESD9B3.3S被視為推動這項技術變革的關鍵產品，它將靜電放電防護從基礎防禦提升至全面的系統最佳化。作為產業推動整合化解決方案發展趨勢的一部分，Slkor計劃在未來的裝置版本中整合電磁幹擾濾波、過電壓保護等功能，從而為行動裝置的全面電路保護樹立新的標竿。

總而言之，SLESD9B3.3S的推出代表了ESD防護技術的重大進步，為行動裝置製造商提供了一種高性能、小型化的解決方案，在保持訊號完整性的同時，還能防止靜電放電和電源噪聲，並具備面向新興技術的未來能力。

關於斯科爾：

SLKOR總部位於中國深圳，是一家在功率半導體領域迅速崛起的國家高新技術企業。公司在北京和蘇州設有研發中心，核心技術團隊源自清華大學。作為碳化矽 (SiC) 功率裝置技術的創新者， SLKOR該公司的產品廣泛應用於新能源汽車、光伏發電、工業物聯網和消費性電子等領域，為全球超過10,000家客戶提供關鍵的半導體解決方案。公司年出貨量超過20億顆，其SiC MOSFET和第五代超快恢復SBD二極體在效率比和熱穩定性方面樹立了行業標竿。 SLKOR 公司擁有超過100項發明專利，提供超過2,000種產品型號，並持續擴展其在功率元件、感測器和電源管理IC領域的智慧財產權組合。公司已獲得ISO 9001、歐盟RoHS/REACH和CP65等認證，彰顯了公司對技術創新、精益製造和永續發展的堅定承諾。