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Diodo de supresión de tensión transitoria Slkor SLPESD3V3S1BA-N

2026-09-21 146

El SLPESD3V3S1BA-N es un supresor de sobretensión transitoria diseñado para proteger componentes electrónicos sensibles a la tensión contra sobretensiones transitorias causadas por descargas electrostáticas (ESD), descargas de cables (CDE) y transitorios eléctricos rápidos (EFT). Con un excelente rendimiento de sujeción, baja corriente de fuga y rápida velocidad de respuesta, este componente utiliza el encapsulado miniatura SOD-523 de montaje superficial para diseños con espacio limitado en PCB y proporciona protección contra sobretensiones para líneas de transmisión de datos y E/S de un solo canal. Está fabricado con material libre de halógenos, se suministra en un embalaje de cinta y carrete de 7 pulgadas con 3000 unidades por carrete y es compatible con procesos de ensamblaje SMT de alto volumen.

 


Foto del producto Diodo de descarga electrostática Slkor SLPESD3V3S1BA-N

1. Parámetros clave del producto

  1. Embalaje y empaquetado: Encapsulado de montaje superficial SOD-523, libre de halógenos; cinta y carrete de 7 pulgadas, 3000 unidades por carrete; clasificación de inflamabilidad UL94V-0; apto para soldadura por reflujo a alta temperatura de 260 ℃ / 10 s.
  2. Parámetros de voltaje eléctrico: Tensión de trabajo inversa máxima \(V_{RWM}\): 3.3 V; tensión de ruptura inversa mínima \(V_{BR}\): 3.6 V a \(I_T=1\mathrm{mA}\); corriente de fuga inversa máxima: 1.0 μA a una tensión de funcionamiento de 3.3 V.
  3. Capacidad de resistencia a sobretensiones: La potencia máxima del pulso alcanza los 60 W con una forma de onda de pulso de 8/20 μs.
  4. Rendimiento ESD (IEC61000-4-2): Descarga por contacto de ±30 kV, descarga por entrehierro de ±30 kV.
  5. Rendimiento de EFT (IEC61000-4-4): 40A (5/50ns).
  6. Voltaje reprimido: Máx. 6.5 V en 8/20 μs con una corriente de pulso pico de 1 A; máx. 12.0 V en 8/20 μs con una corriente de pulso pico de 5 A; tensión de sujeción TLP típica: 9 V.
  7. Capacitancia de unión: Máximo 16.5 pF con voltaje de polarización cero y frecuencia de prueba de 1 MHz.
  8. Rango de temperaturaTemperatura de funcionamiento: -40℃ ~ +150℃; temperatura de almacenamiento: -40℃ ~ +150℃.
  9. Canal de protecciónUn único dispositivo protege una línea de señal de E/S.

2. Características principales del producto

  1. Protección ESD de alto nivel: Cumple con la norma IEC61000-4-2, ofreciendo protección de ±30 kV tanto para descargas por contacto como por descargas aéreas; además, suprime los transitorios eléctricos rápidos definidos por la norma IEC61000-4-4.
  2. Excelente rendimiento de sujeciónResponde rápidamente a las sobretensiones transitorias y limita la tensión de pico a un nivel bajo para proteger los semiconductores sensibles conectados posteriormente.
  3. Corriente de fuga baja: Corriente de fuga ≤1.0 μA a 3.3 V nominales, con bajo consumo de energía estática y adecuada para productos electrónicos alimentados por batería.
  4. Capacitancia de unión baja: Máximo 16.5 pF, lo que introduce una distorsión mínima en las señales de datos de alta velocidad y es adecuado para diversas interfaces de transmisión de alta velocidad.
  5. Paquete de montaje superficial en miniaturaEl encapsulado compacto SOD-523 ahorra espacio en la placa de circuito impreso y admite diseños de productos miniaturizados.
  6. Respetuoso con el medio ambiente y compatible con el proceso.Material libre de halógenos que cumple con los requisitos medioambientales; admite soldadura por reflujo a alta temperatura de 260 ℃ para la fabricación SMT estándar.
  7. Protección de un solo canalUn único dispositivo proporciona protección contra descargas electrostáticas y sobretensiones para un puerto de E/S.

3. Principales campos de aplicación

  • teléfonos móviles y accesorios para móviles
  • Equipos electrónicos centrados en microprocesadores
  • Asistentes digitales personales (PDA)
  • Ordenadores portátiles, ordenadores de sobremesa y servidores
  • Instrumentación portátil
  • Equipos de redes y telecomunicaciones
  • Interfaces serie y paralela
  • Protección ESD para diversas interfaces periféricas

4. Recomendaciones de diseño de ingeniería

  1. Diseño y enrutamiento de PCBColoque el dispositivo de protección lo más cerca posible del conector de E/S protegido para acortar las pistas de señal. Mantenga las pistas de retorno a tierra cortas y anchas para reducir la inductancia parásita, de modo que la energía transitoria se pueda desviar a tierra rápidamente y el rendimiento de sujeción no se degrade.
  2. Evaluación de señales de alta velocidadDado que el dispositivo posee capacitancia de unión intrínseca, evalúe la influencia de una capacitancia máxima de 16.5 pF en la integridad de la señal para líneas de señal de alta velocidad, con el fin de evitar la atenuación de la señal y la distorsión de la forma de onda.
  3. Reducción de potenciaReduzca la potencia máxima del pulso según la curva de reducción de potencia de la hoja de datos cuando la temperatura ambiente sea superior a 25 ℃. Está prohibido el funcionamiento a plena potencia en condiciones de alta temperatura.
  4. Requisito de adaptación de voltajeLa tensión de trabajo inversa máxima es de 3.3 V. Solo debe utilizarse con señales o líneas de alimentación de 3.3 V. Una tensión continua superior a \(V_{RWM}\) provocará fugas anómalas o daños permanentes en el dispositivo.
  5. Limitaciones de la aplicaciónEste componente está diseñado para pulsos transitorios de corta duración, como ESD, CDE y EFT. No puede soportar sobretensiones prolongadas, ya que esto provocaría directamente la falla del dispositivo.
  6. Control de soldaduraLa temperatura máxima de reflujo no deberá exceder los 260 ℃ y la duración de la soldadura deberá mantenerse dentro de los 10 segundos para evitar daños térmicos.

5 Resumen del producto

El SLPESD3V3S1BA-N es un supresor de sobretensión transitoria de un solo canal y 3.3 V, encapsulado en SOD-523. Proporciona protección ESD de ±30 kV con baja corriente de fuga, baja capacitancia de unión y rápida respuesta de sujeción. Su pequeño tamaño lo hace ideal para diseños de PCB de alta densidad.

Este componente se aplica principalmente para la protección contra descargas electrostáticas (ESD) y sobretensiones transitorias en puertos de 3.3 V y líneas de transmisión de datos, y se utiliza ampliamente en electrónica de consumo, ordenadores, equipos de telecomunicaciones e instrumentos portátiles. En la práctica, se requiere una ubicación cercana al conector, un enrutamiento de tierra optimizado, una correcta adaptación de voltaje y una reducción de potencia a altas temperaturas para lograr un rendimiento de protección completo.


Acerca de Slkor:

Slkor tiene oficinas de investigación y desarrollo en Busan, Corea del Sur, Beijing, China y Suzhou, China. La mayor parte de la fabricación, el empaquetado y las pruebas de obleas se llevan a cabo en China. La empresa emplea y colabora con personas y organizaciones de todo el mundo, con un laboratorio para pruebas de rendimiento y confiabilidad de productos y un almacén central ubicado en su sede en Shenzhen. Slkor ha presentado más de cien patentes de invención, ofrece más de 2,000 modelos de productos y atiende a más de diez mil clientes en todo el mundo. Sus productos se exportan a países y regiones como Europa, América, el sudeste asiático y Oriente Medio, lo que la convierte en una de las empresas de semiconductores de más rápido crecimiento en los últimos años. Con sistemas de gestión bien establecidos y flujos de trabajo optimizados, Slkor ha mejorado rápidamente el conocimiento y la reputación de la marca.SLKOR"marca a través de su excelente calidad y servicios estandarizados. Su gama de productos incluye tres series principales: diodos, transistores y dispositivos de potencia, con la reciente introducción de nuevos productos como elementos Hall y dispositivos analógicos, ampliando su presencia en sensores, microcontroladores Risc-v y otras categorías de productos.


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