Diode de suppression de tension transitoire Slkor SLPESD3V3S1BA-N

Le SLPESD3V3S1BA-N est un suppresseur de surtensions transitoires conçu pour protéger les composants électroniques sensibles aux surtensions transitoires causées par les décharges électrostatiques (DES), les décharges de câbles (DC) et les transitoires électriques rapides (TER). Offrant d'excellentes performances de limitation, un faible courant de fuite et une vitesse de réponse rapide, ce composant utilise un boîtier CMS miniature SOD-523, idéal pour les conceptions où l'espace sur le circuit imprimé est limité. Il assure la protection contre les surtensions des lignes d'E/S monocanal et de transmission de données. Fabriqué à partir de matériaux sans halogène, il est conditionné en bobines de 7 pouces (17,8 cm) contenant 3 000 pièces et est compatible avec les processus d'assemblage CMS à haut volume.

Photo du produit de la diode de décharge électrostatique Slkor SLPESD3V3S1BA-N

1. Paramètres clés du produit

1. EmballageBoîtier CMS SOD-523, sans halogène ; conditionnement en bande et bobine de 7 pouces, 3000 pièces par bobine ; indice d'inflammabilité UL94V-0 ; supporte le brasage par refusion à haute température de 260 °C pendant 10 secondes.
2. Paramètres de tension électrique: Tension de fonctionnement inverse maximale \(V_{RWM}\): 3.3 V ; tension de claquage inverse minimale \(V_{BR}\): 3.6 V @ \(I_T=1\mathrm{mA}\) ; courant de fuite inverse maximal : 1.0 μA à une tension de fonctionnement de 3.3 V.
3. Capacité de résistance aux surtensions: La puissance d'impulsion maximale atteint 60 W sous une forme d'onde d'impulsion de 8/20 μs.
4. Performances ESD (IEC61000-4-2): Décharge par contact ±30 kV, décharge par entrefer ±30 kV.
5. Performances EFT (IEC61000-4-4): 40A (5/50ns).
6. Tension de serrage: Max 6.5 V sous 8/20 µs à un courant d'impulsion de crête de 1 A ; max 12.0 V sous 8/20 µs à un courant d'impulsion de crête de 5 A ; tension de blocage TLP typique : 9 V.
7. Capacité de jonction: Capacité maximale de 16.5 pF à tension de polarisation nulle et à une fréquence de test de 1 MHz.
8. Plage de températureTempérature de fonctionnement : -40℃ ~ +150℃ ; température de stockage : -40℃ ~ +150℃.
9. Canal de protectionUn seul dispositif protège une ligne de signal d'E/S.

2. Principales caractéristiques du produit

1. Protection ESD de haut niveauConforme à la norme IEC61000-4-2, offrant une protection de ±30 kV contre les décharges par contact et dans l'air ; il supprime également les transitoires électriques rapides définis par la norme IEC61000-4-4.
2. Excellentes performances de serrageIl réagit rapidement aux surtensions transitoires et limite la tension de surtension à un faible niveau afin de protéger les semi-conducteurs sensibles situés en aval.
3. Faible courant de fuite: Courant de fuite ≤1.0 μA à la tension nominale de 3.3 V, avec une faible consommation d'énergie statique et adapté aux produits électroniques alimentés par batterie.
4. Faible capacité de jonction: Capacité maximale de 16.5 pF, introduisant une distorsion mineure dans les signaux de données à haut débit et adaptée à diverses interfaces de transmission à haut débit.
5. Boîtier miniature à montage en surface: L'encombrement compact du SOD-523 permet de gagner de la place sur le circuit imprimé et prend en charge les conceptions de produits miniaturisées.
6. Respectueux de l'environnement et compatible avec les procédésMatériau sans halogène répondant aux exigences environnementales ; supporte le brasage par refusion à haute température de 260 °C pour la fabrication SMT standard.
7. Protection monocanalUn seul dispositif assure la protection contre les décharges électrostatiques et les surtensions pour un port d'E/S.

3 Principaux domaines d'application

• Téléphones portables et accessoires pour téléphones portables
• Équipements électroniques centrés sur les microprocesseurs
• Assistants numériques personnels (PDA)
• Ordinateurs portables, ordinateurs de bureau et serveurs
• Instrumentation portable
• Équipements de réseau et de télécommunication
• Interfaces série et parallèle
• Protection contre les décharges électrostatiques pour diverses interfaces périphériques

4. Recommandations en matière de conception technique

1. Disposition et routage des circuits imprimésPlacez le dispositif de protection au plus près du connecteur d'E/S protégé afin de raccourcir les pistes de signal. Veillez à ce que les pistes de retour à la masse soient courtes et larges afin de réduire l'inductance parasite et ainsi permettre une dissipation rapide de l'énergie transitoire vers la masse et préserver les performances de limitation.
2. Évaluation des signaux à haut débitÉtant donné que le dispositif possède une capacité de jonction intrinsèque, évaluez l'influence d'une capacité maximale de 16.5 pF sur l'intégrité du signal pour les lignes de signaux à haute vitesse afin d'éviter l'atténuation du signal et la distorsion de la forme d'onde.
3. Déclassement de puissanceRéduisez la puissance d'impulsion de crête conformément à la courbe de réduction de puissance de la fiche technique lorsque la température ambiante est supérieure à 25 °C. Le fonctionnement à pleine puissance est interdit dans des conditions de température élevée.
4. Exigence d'adaptation de tensionLa tension de fonctionnement inverse maximale est de 3.3 V. Ce dispositif doit être utilisé uniquement sur des lignes de signal ou d'alimentation de 3.3 V. Une tension continue supérieure à \(V_{RWM}\) entraînera des fuites anormales ou des dommages permanents au dispositif.
5. Limites des applicationsCe composant est conçu pour les impulsions transitoires de courte durée telles que les décharges électrostatiques (ESD), les décharges de courant (CDE) et les transitoires rapides (EFT). Il ne supporte pas les surtensions prolongées, qui entraînent une défaillance directe du dispositif.
6. Contrôle de la soudureLa température de refusion maximale ne doit pas dépasser 260 °C et la durée de soudage doit être maintenue en dessous de 10 secondes afin d'éviter tout dommage thermique.

5. Informations sur le produit

Le SLPESD3V3S1BA-N est un suppresseur de surtensions transitoires monocanal de 3.3 V, encapsulé en SOD-523. Il assure une protection ESD de ±30 kV avec un faible courant de fuite, une faible capacité de jonction et une réponse de limitation rapide. Son format compact est idéal pour les circuits imprimés haute densité.

Ce composant est principalement utilisé pour la protection contre les décharges électrostatiques et les surtensions transitoires sur les ports d'E/S 3.3 mm et les lignes de transmission de données. Il est largement utilisé dans l'électronique grand public, l'informatique, les équipements de télécommunications et les instruments portables. En pratique, pour garantir une protection optimale, il est nécessaire de le placer au plus près du connecteur, d'optimiser le routage de la mise à la terre, d'adapter correctement la tension et de réduire sa puissance en fonction de la température.

À propos de Slkor :

Slkor possède des bureaux de recherche et développement à Busan, en Corée du Sud, à Pékin, en Chine, et à Suzhou, en Chine. La plupart des opérations de fabrication, de conditionnement et de test des plaquettes sont effectuées en Chine. L'entreprise emploie et collabore avec des particuliers et des organisations du monde entier, avec un laboratoire de test des performances et de la fiabilité des produits et un entrepôt central situé à son siège social à Shenzhen. Slkor a déposé plus d'une centaine de brevets d'invention, propose plus de 2,000 XNUMX modèles de produits et sert plus de dix mille clients dans le monde. Ses produits sont exportés vers des pays et des régions tels que l'Europe, les Amériques, l'Asie du Sud-Est et le Moyen-Orient, ce qui en fait l'une des sociétés de semi-conducteurs à la croissance la plus rapide ces dernières années. Grâce à des systèmes de gestion bien établis et à des flux de travail rationalisés, Slkor a rapidement amélioré la notoriété de sa marque et la réputation de ses produits.SLKOR" par sa qualité exceptionnelle et ses services standardisés. Sa gamme de produits comprend trois grandes séries : diodes, transistors et dispositifs de puissance, avec l'introduction récente de nouveaux produits tels que des éléments Hall et des dispositifs analogiques, élargissant sa présence dans les capteurs, les microcontrôleurs Risc-v et d'autres catégories de produits.