Cree | Wolfspeed presenta dispositivos avanzados de radar de banda X

Habilitando soluciones de energía RF de alto rendimiento

Cuatro nuevos dispositivos MMIC de GaN-on-SiC ayudan a los diseñadores a mejorar el tamaño, el peso y la potencia de los sistemas de RF.

Cree l Wolfspeed, líder mundial en tecnología de carburo de silicio (SiC), presentó recientemente cuatro nuevos dispositivos de circuitos integrados de microondas monolíticos (MMIC) multipolares de GaN-on-SiC, ampliando aún más la gama de soluciones de radiofrecuencia (RF), que son Adecuado para aplicaciones de matriz en fase de banda X de onda continua y pulsos, incluidos asuntos marítimos, monitoreo meteorológico y radares de sistemas UAV emergentes.

Con la tecnología Wolfspeed GaN-on-SiC, estos nuevos dispositivos pueden proporcionar alta eficiencia de energía agregada (PAE) en paquetes pequeños y estándar de la industria, ayudando así a los diseñadores a maximizar su rendimiento en sistemas más pequeños con menos consumo de energía.

Jim Milligan, director senior a cargo del negocio aeroespacial y de fundición de Cree | Wolfspeed, dijo: "Los nuevos dispositivos de banda X de Cree | Wolfspeed brindan a los ingenieros de diseño una gran cantidad de opciones y son adecuados para sistemas que requieren soluciones de lanzamiento de alta eficiencia en tamaños exigentes, como los requeridos en aplicaciones de radar de matriz en fase activa. Con la adopción de la solución Wolfspeed GaN-on-SiC, el tamaño más pequeño, el peso más ligero, la mayor potencia (SWaP) y el rendimiento requeridos por los sistemas de RF clave podrán alcanzar nuevas alturas. "

Nuestra amplia cartera de productos de banda X proporciona soluciones que admiten ganancias de múltiples niveles, reduciendo así la cantidad de dispositivos necesarios en la cadena de transmisión. Incluyen diferentes niveles de potencia para optimizar el rendimiento del sistema y proporcionan múltiples plataformas para optimizar la arquitectura del sistema. Explore la Tabla 1 para obtener más detalles del producto y datos de rendimiento.

El nuevo amplificador continúa ampliando la cartera de productos. Su excelente desempeño lo demuestra Cree | Las décadas de experiencia de Wolfspeed en GaN-on-SiC, que ayudan a respaldar los mercados aeroespacial y otros. Al mismo tiempo, también refleja la búsqueda incansable de desarrollar soluciones de nitruro de galio (GaN) innovadoras y líderes en la industria para una amplia gama de aplicaciones de RF. 

Tabla 1

Nota: Todos los dispositivos enumerados anteriormente tienen ECCN de 3A001.b.2

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