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Transistor de silicio epitaxial 2SC2412K-R NPN
Transistor de silicio epitaxial 2SC2412K-R NPN
Descripción general del producto
El 2SC2412K-R es un transistor bipolar NPN fabricado por Slkor, adecuado para diversas aplicaciones de baja potencia. Presenta una tensión de ruptura colector-emisor moderada, bajo consumo de energía y alta ganancia de corriente continua. Se presenta en un encapsulado SOT-23 y está diseñado para montaje superficial.
Caracteristicas claves
Tipo de transistor: NPN – Diseño de transistor de unión bipolar tipo NPN. Voltaje de ruptura colector-emisor (Vceo): 50 V – Ofrece un voltaje de ruptura colector-emisor moderado. Corriente de colector (Ic): 0.15 A – Presenta un rendimiento de baja potencia. Disipación de potencia (PT): 0.2 W – Optimizado para aplicaciones de baja potencia. Corriente de corte del colector (Icbo): 100 nA – Presenta una corriente de corte baja. Voltaje de saturación colector-emisor (VCE(sat)@Ic,Ib): 0.4 V @ 50 mA, 5 mA – Diseño de bajo voltaje de saturación. Ganancia de corriente continua (hFE@Ic,Vce): 560 @ 1 mA, 6 V – Ofrece una alta ganancia de corriente continua. Frecuencia de transición (fT): 80 MHz – Adecuado para aplicaciones generales de baja frecuencia. Temperatura de funcionamiento: -55 ℃ ~ +150 ℃ – Adaptable a un amplio rango de temperaturas. Encapsulado: SOT-23 – Para aplicaciones de montaje en superficie.
Los campos de aplicación
- Dispositivos electrónicos de baja potencia - Amplificadores y circuitos amplificadores - Controladores láser - Controladores LED - Electrónica automotriz
Ventajas de rendimiento
- Voltaje de ruptura moderado: El voltaje de ruptura de 50 V admite aplicaciones de voltaje medio y bajo. - Bajo consumo de energía: Disipación de potencia de 0.2 W para aplicaciones de baja potencia. - Baja corriente de corte: La corriente de corte de 100 nA ayuda a reducir el consumo de energía. - Diseño de bajo voltaje de saturación: El voltaje de saturación de 0.4 V contribuye a una menor pérdida de potencia. - Alta ganancia de corriente continua: Ganancia de corriente continua de 560, ideal para circuitos amplificadores.
Nombre
Título
Mareas Ideales para Lecciones
Hoja de Datos
Soporte
Soporte
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Longevidad
El Programa de Longevidad tiene como objetivo informar a nuestros clientes periódicamente sobre el tiempo estimado de disponibilidad de nuestros productos. Este programa es revisado y actualizado regularmente por nuestro equipo directivo. Consulte nuestro programa de longevidad aquí.
13001 Transistor bipolar NPN SOT-23
Marcas: slkor， VCEO(V)： 400V PD(W)(PD(W))： 750mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 500mV fT(MHz)(fT(MHz))： 8MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 200mA
2SC3357RF
Marcas: slkor，
2SC3585 R45
Marcas: slkor，
2SC4228 R45
Marcas: slkor，
BCX52-16 Transistores de potencia media PNP de 60 V y 1 A SOT-89
Marcas: slkor， VCEO(V)： 60V PD(W)(PD(W))： 500mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 500mV fT(MHz)(fT(MHz))： null- Package(Package)： SOT-89 IC(A)(IC(A))： 1A
MMBT2222A
Marcas: slkor， VCEO(V)： 40V PD(W)(PD(W))： 225mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 1V fT(MHz)(fT(MHz))： 300MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 600mA
Transistor PXT8050 BJT
Marcas: slkor，
Transistor SOT-2 4226SC24 R323 BJT
Marcas: slkor，
Transistor SOT-3946 MMDT363 BJT
Marcas: slkor， VCEO(V)： 40V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 400mV fT(MHz)(fT(MHz))： 300MHz Package(Package)： SOT-363 IC(A)(IC(A))： 200mA
Transistor SOT-817 BC40-323W NPN BJT
Marcas: slkor， VCEO(V)： 45V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 700mV fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-323 IC(A)(IC(A))： 50mA
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
SLKOR's product lines include discrete devices, etc., diodes, transistors, power devices; and integrated circuit chips, etc., linear regulators, DC/ DC chips, interface chips, Hall sensors, ADCs, and BMS... We have years of accumulated technology on dedicated semiconductor.
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