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Diodo supresor de voltaje transitorio P6SMB10CA SMB
Este diodo TVS (supresión de voltaje transitorio) de alta potencia está diseñado para brindar una protección superior contra picos de voltaje y transitorios. Cuenta con un cátodo con bandas de colores para una fácil instalación y garantiza un rendimiento confiable en una variedad de aplicaciones electrónicas.
Nuestras ventajas
Los procesos de fabricación chinos han pasado por años de iteración, lo que ha dado como resultado tecnologías maduras y confiables. Muchas corporaciones internacionales optan por subcontratar la producción en China. Como fabricante de componentes electrónicos en China, nuestros productos pueden reemplazar completamente a los de las principales marcas internacionales en el 99% de las aplicaciones sin necesidad de realizar pruebas de verificación. Nuestros productos cuentan con una alta consistencia en calidad, precios razonables, amplio inventario, suministro flexible, plazos de entrega cortos y servicio postventa profesional.
Mareas Ideales para Lecciones
Este diodo TVS (supresión de voltaje transitorio) de alta potencia está diseñado para brindar una protección superior contra picos de voltaje y transitorios. Cuenta con un cátodo con bandas de colores para una fácil instalación y garantiza un rendimiento confiable en una variedad de aplicaciones electrónicas.
Caracteristicas
● Potencia de pulso máxima de 600 W
● Excelente capacidad de sujeción
● Tensión de sujeción pequeña
● Tiempo de respuesta rápido: unidireccional menos de 1.0 ps desde 0 V a VBR, bidireccional menos de 5.0 ns
Características mecánicas
● Paquete: Paquete moldeado
● Material de encapsulación: Epoxi retardante de llama reconocido por UL94V-O
● Terminales: Estañados
● Polaridad: Cátodo indicado por banda de color
● Posición de montaje: Cualquiera
Aplicaciones
● Equipos industriales
● Fuentes de alimentación
● Telecomunicaciones y redes
● Electrónica de consumo
Nombre
Título
Descripción
Ficha técnica
Soporte
Soporte
Si necesita asistencia técnica o de diseño, háganoslo saber y complete el formulario de respuesta. Nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.
Longevidad
El Programa de Longevidad tiene como objetivo informar a nuestros clientes periódicamente sobre el tiempo estimado de disponibilidad de nuestros productos. Este programa es revisado y actualizado regularmente por nuestro equipo directivo. Consulte nuestro programa de longevidad aquí.
AZC199-04 Diodos TSD/ESD de capacitancia ultrabaja SOT-23-6L
Marca: slkor， VRWM(V)： 5V VBR min(V)： 6V VBR max(V)： 1μA IR(uA)： 28V VC(V)： 0.8pF Package： SOT-23-6L
Diodo SMCJ36A TVS SMC
Marca: slkor， VRWM(V)： 36V VBR min(V)： 40V VBR max(V)： 44.2V IR(uA)： 1μA VC(V)： 58.1V Package： SMC
Diodo SMF14A TVS SOD-123FL
Marca: slkor， VRWM(V)： 14.0 V VBR min(V)： 15.60 V VBR max(V)： 17.20 V IR(uA)： 1μA VC(V)： 23.2 V Package： SOD-123FL
Diodo SMF14CA TVS SOD-123FL
Marca: slkor， VRWM(V)： 14.0 V VBR min(V)： 15.60 V VBR max(V)： 17.20 V IR(uA)： 1μA VC(V)： 23.2 V Package： SOD-123FL
Diodo SMF17A TVS SOD-123FL
Marca: slkor， VRWM(V)： 17V VBR min(V)： 18.9V VBR max(V)： 20.9V IR(uA)： 1μA VC(V)： 27.6V Package： SOD-123FL
Diodo SMF17CA TVS SOD-123FL
Marca: slkor， VRWM(V)： 17V VBR min(V)： 18.9V VBR max(V)： 20.9V IR(uA)： 1μA VC(V)： 27.6V Package： SOD-123FL
Diodo SMF18A TVS SOD-123FL
Marca: slkor， VRWM(V)： 18V VBR min(V)： 20V VBR max(V)： 20.9V IR(uA)： 1μA VC(V)： 29.2V Package： SOD-123FL
Diodo SMF22CA TVS SOD-123FL
Marca: slkor， VRWM(V)： 22V VBR min(V)： 24.4V VBR max(V)： 26.9 V IR(uA)： 1μA VC(V)： 35.5V Package： SOD-123FL
Diodo SMF24A TVS SOD-123FL
Marca: slkor， VRWM(V)： 24V VBR min(V)： 26.7V VBR max(V)： 29.5V IR(uA)： 1μA VC(V)： 38.9V Package： SOD-123FL
Diodo SMF28A TVS SOD-123FL
Marca: slkor， VRWM(V)： 28V VBR min(V)： 31.1V VBR max(V)： 34.4V IR(uA)： 1μA VC(V)： 45.4V Package： SOD-123FL
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
Las líneas de productos de SLKOR incluyen dispositivos discretos, etc., diodos, transistores, dispositivos de potencia; y chips de circuitos integrados, etc., reguladores lineales, chips DC/DC, chips de interfaz, sensores Hall, ADC y BMS... Tenemos años de tecnología acumulada en semiconductores dedicados.
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