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Transistor bipolar SOT-589 MMBT23 PNP
El MMBT589 es un transistor de conmutación de silicio epitaxial PNP en encapsulado SOT-23 de montaje superficial. Está diseñado para la conmutación de alta corriente y la gestión de carga en aplicaciones electrónicas portátiles y alimentadas por batería. El dispositivo presenta una alta ganancia de corriente continua, un bajo voltaje de saturación y una amplia zona de operación segura, soportando hasta 1 A de corriente de colector continua y 2 A de corriente pico.
Nuestras ventajas
- Capacidad de conducción de alta corriente de hasta 1 A continuo / 2 A pico para la gestión de carga de dispositivos portátiles.
- Bajo voltaje de saturación para una alta eficiencia y bajas pérdidas de potencia.
- Chip epitaxial planar para un rendimiento eléctrico estable y una buena consistencia.
- Encapsulado compacto SOT-23, ideal para dispositivos electrónicos portátiles con espacio limitado.
- Diseño sin plomo que cumple con los estándares ambientales globales.
- Amplio rango de temperatura de funcionamiento para un uso industrial y doméstico fiable.
- Paquete en cinta y carrete listo para montaje SMT de alta velocidad.
Mareas Ideales para Lecciones
El MMBT589 es un transistor de conmutación de silicio epitaxial PNP en encapsulado SOT-23 de montaje superficial. Está diseñado para la conmutación de alta corriente y la gestión de carga en aplicaciones electrónicas portátiles y alimentadas por batería. El dispositivo presenta una alta ganancia de corriente continua, un bajo voltaje de saturación y una amplia zona de operación segura, soportando hasta 1 A de corriente de colector continua y 2 A de corriente pico.
CARACTERÍSTICAS
- Transistor de conmutación de alta corriente PNP
- Construcción de matriz plana epitaxial
- Encapsulado de montaje superficial SOT-23
- Disponible sin plomo
- Corriente continua del colector: IC = −1.0 A; Pico: ICM = −2.0 A
- Bajo VCE(sat) para una alta eficiencia
- VCBO = −50V, VCEO = −30V, VEBO = −5V
- Disipación de potencia: PC = 0.31 W
- Frecuencia de transición: fT = 100 MHz (típ.)
- Temperatura de unión/almacenamiento: −55℃ a +150℃
Aplicaciones
- Gestión de carga de dispositivos electrónicos portátiles
- Conmutación de energía de equipos alimentados por batería
- circuitos controladores de dispositivos móviles
- Audio portátil y electrónica de consumo
- Módulos de control portátiles industriales
- Aplicaciones de conmutación PNP de alta corriente
- Sistemas de gestión de energía de bajo voltaje
Nombre
Título
Descripción
Ficha técnica
Soporte
Transistor bipolar PNP SS30101-Q SOT-23
Marca: slkor， VCEO(V)： 30V PD(W)(PD(W))： 310mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 650mV fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： −1.0A
Transistor bipolar NPN 2SD2098-R SOT-89
Marca: slkor， VCEO(V)： 30V PD(W)(PD(W))： 310mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 650mV fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： −1.0A
Transistor bipolar NPN MMDT4401 SOT-363
Marca: slkor， VCEO(V)： 30V PD(W)(PD(W))： 310mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 650mV fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： −1.0A
Transistor bipolar PNP 2SC4373-Y SOT-89
Marca: slkor， VCEO(V)： 30V PD(W)(PD(W))： 310mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 650mV fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： −1.0A
Transistor bipolar NPN 2SC2757 T33 SOT-23
Marca: slkor， VCEO(V)： 30V PD(W)(PD(W))： 310mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 650mV fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： −1.0A
Transistor bipolar PNP 2SC2881-Y SOT-89
VCEO(V)： 30V PD(W)(PD(W))： 310mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 650mV fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： −1.0A
Transistor bipolar MMDT5551 NPN SOT-363
Marca: slkor， VCEO(V)： 30V PD(W)(PD(W))： 310mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 650mV fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： −1.0A
Transistor bipolar NPN M28S SOT-23
Marca: slkor， VCEO(V)： 30V PD(W)(PD(W))： 310mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 650mV fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： −1.0A
Transistor bipolar NPN MMBT2222AT SOT-523
Marca: slkor， VCEO(V)： 30V PD(W)(PD(W))： 310mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 650mV fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： −1.0A
Transistor bipolar PNP MMBT2907AT SOT-523
Marca: slkor， VCEO(V)： 30V PD(W)(PD(W))： 310mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 650mV fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： −1.0A
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
Las líneas de productos de SLKOR incluyen dispositivos discretos, etc., diodos, transistores, dispositivos de potencia; y chips de circuitos integrados, etc., reguladores lineales, chips DC/DC, chips de interfaz, sensores Hall, ADC y BMS... Tenemos años de tecnología acumulada en semiconductores dedicados.
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