Nuestras ventajas
- Transistor NPN doble en un encapsulado compacto, lo que ahorra espacio en la placa de circuito impreso y costes de lista de materiales.
- Alta tensión nominal de hasta 160 V para aplicaciones en circuitos de alta tensión.
- Bajo voltaje de saturación y bajo nivel de ruido para una amplificación de alta eficiencia.
- Paquete SOT-363 ultracompacto, ideal para diseño SMT de alta densidad.
- Chip epitaxial planar para un rendimiento estable y una buena consistencia.
- Complementario al MMDT5401 para el diseño de circuitos push-pull.
- Amplio rango de temperatura de funcionamiento para uso industrial y doméstico.
Mareas Ideales para Lecciones
MMDT5551 es un transistor planar epitaxial NPN dual Se presenta en un encapsulado de montaje superficial SOT-363. Está diseñado para amplificación de potencia media y aplicaciones de conmutación de alto voltaje. Con un voltaje colector-emisor de 160 V y una alta frecuencia de transición, ofrece un rendimiento fiable en equipos electrónicos compactos. Marcado: K4N.
CARACTERÍSTICAS
- Transistor NPN doble (2 NPN en 1 paquete)
- Construcción de matriz plana epitaxial
- Encapsulado de montaje superficial ultracompacto SOT-363
- Alto voltaje: VCEO = 160 V, VCBO = 180 V
- Voltaje de saturación bajo VCE(sat)
- Figura de ruido baja (NF)
- Frecuencia de transición: fT = 100–300 MHz
- Ganancia de corriente continua: hFE = 80–300
- Disipación de potencia: PC = 0.2 W
- Temperatura de unión: −55℃ a +150℃
- Complementario a MMDT5401
Aplicaciones
- Amplificación de señal de alto voltaje
- Circuitos de conmutación de potencia media
- Equipos de audio y módulos de controladores
- Sistemas de control industrial.
- Electrónica de consumo
- Circuitos impresos de alta densidad
- Dispositivos electrónicos portátiles