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MMDT5551 NPN Transistor Bipolar SOT-363
O MMDT5551 é um transistor planar epitaxial NPN duplo encapsulado em um pacote de montagem em superfície SOT-363. Ele foi projetado para aplicações de amplificação de potência média e chaveamento de alta tensão. Com uma tensão coletor-emissor de 160 V e alta frequência de transição, oferece desempenho confiável em equipamentos eletrônicos compactos. Marcação: K4N.
Nossas Vantagens
- Transistor NPN duplo em um único encapsulamento compacto, economizando espaço na placa de circuito impresso e reduzindo o custo da lista de materiais.
- Classificação de alta tensão de até 160 V para aplicações em circuitos de alta tensão.
- Baixa tensão de saturação e baixo ruído para amplificação de alta eficiência.
- Pacote SOT-363 ultracompacto ideal para projetos SMT de alta densidade.
- Chip planar epitaxial para desempenho estável e boa consistência.
- Complementar ao MMDT5401 para projetos de circuitos push-pull.
- Ampla faixa de temperatura operacional para uso industrial e doméstico.
Descrição
MMDT5551 é um transistor planar epitaxial NPN duplo Alojado na embalagem de montagem em superfície SOT-363, este transistor foi projetado para aplicações de amplificação de média potência e comutação de alta tensão. Com uma tensão coletor-emissor de 160 V e alta frequência de transição, oferece desempenho confiável em equipamentos eletrônicos compactos. Marcação: K4N.
CARATERÍSTICAS
- Transistor NPN duplo (2 NPN em 1 encapsulamento)
- Construção de matriz plana epitaxial
- Pacote de montagem em superfície ultracompacto SOT-363
- Alta tensão: VCEO = 160V, VCBO = 180V
- Baixa tensão de saturação VCE(sat)
- Baixo nível de ruído (NF)
- Frequência de transição: fT = 100–300 MHz
- Ganho de corrente CC: hFE = 80–300
- Dissipação de energia: PC = 0.2 W
- Temperatura de junção: −55℃ a +150℃
- Complementar ao MMDT5401
Aplicações
- Amplificação de sinal de alta tensão
- Circuitos de comutação de média potência
- Equipamentos de áudio e módulos de driver
- Sistemas de controle industrial
- Eletrônicos de consumo
- Circuitos de PCB de alta densidade
- Dispositivos eletrônicos portáteis
Name
Title
Description
Datasheet
Support
SS30101-Q Transistor Bipolar PNP SOT-23
Brand: slkor， VCEO(V)： 160V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 200mV fT(MHz)(fT(MHz))： 300MHz Package(Package)： SOT-363 IC(A)(IC(A))： 200mA
Transistor bipolar NPN 2SD2098-R SOT-89
Brand: slkor， VCEO(V)： 160V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 200mV fT(MHz)(fT(MHz))： 300MHz Package(Package)： SOT-363 IC(A)(IC(A))： 200mA
Transistor bipolar NPN MMDT4401 SOT-363
Brand: slkor， VCEO(V)： 160V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 200mV fT(MHz)(fT(MHz))： 300MHz Package(Package)： SOT-363 IC(A)(IC(A))： 200mA
Transistor bipolar PNP 2SC4373-Y SOT-89
Brand: slkor， VCEO(V)： 160V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 200mV fT(MHz)(fT(MHz))： 300MHz Package(Package)： SOT-363 IC(A)(IC(A))： 200mA
Transistor bipolar NPN 2SC2757 T33 SOT-23
Brand: slkor， VCEO(V)： 160V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 200mV fT(MHz)(fT(MHz))： 300MHz Package(Package)： SOT-363 IC(A)(IC(A))： 200mA
Transistor bipolar SOT-589 MMBT23 PNP
Brand: slkor， VCEO(V)： 160V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 200mV fT(MHz)(fT(MHz))： 300MHz Package(Package)： SOT-363 IC(A)(IC(A))： 200mA
Transistor bipolar PNP 2SC2881-Y SOT-89
VCEO(V)： 160V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 200mV fT(MHz)(fT(MHz))： 300MHz Package(Package)： SOT-363 IC(A)(IC(A))： 200mA
Transistor bipolar NPN M28S SOT-23
Brand: slkor， VCEO(V)： 160V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 200mV fT(MHz)(fT(MHz))： 300MHz Package(Package)： SOT-363 IC(A)(IC(A))： 200mA
Transistor bipolar NPN MMBT2222AT SOT-523
Brand: slkor， VCEO(V)： 160V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 200mV fT(MHz)(fT(MHz))： 300MHz Package(Package)： SOT-363 IC(A)(IC(A))： 200mA
Transistor bipolar PNP MMBT2907AT SOT-523
Brand: slkor， VCEO(V)： 160V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 200mV fT(MHz)(fT(MHz))： 300MHz Package(Package)： SOT-363 IC(A)(IC(A))： 200mA
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