Nos avantages
- Deux transistors NPN dans un boîtier compact, permettant de gagner de la place sur le circuit imprimé et de réduire le coût de la nomenclature.
- Tension nominale élevée jusqu'à 160 V pour les applications de circuits haute tension
- Faible tension de saturation et faible bruit pour une amplification à haut rendement
- Boîtier SOT-363 ultra-compact, idéal pour les conceptions CMS haute densité.
- Puce épitaxiale plane pour des performances stables et une bonne homogénéité
- Complémentaire au MMDT5401 pour la conception de circuits push-pull
- Large plage de températures de fonctionnement pour une utilisation industrielle et domestique
Description
MMDT5551 est un transistor planaire épitaxié NPN double Logé dans un boîtier CMS SOT-363, ce transistor est conçu pour l'amplification de moyenne puissance et les applications de commutation haute tension. Avec une tension collecteur-émetteur de 160 V et une fréquence de transition élevée, il offre des performances fiables dans les équipements électroniques compacts. Marquage : K4N.
Fonctionnalités
- Transistor NPN double (2 NPN dans 1 boîtier)
- Construction de matrices planaires épitaxiales
- Boîtier de montage en surface ultra-compact SOT-363
- Haute tension : VCEO = 160 V, VCBO = 180 V
- Tension de saturation basse VCE(sat)
- Facteur de bruit faible (NF)
- Fréquence de transition : fT = 100–300 MHz
- Gain en courant continu : hFE = 80–300
- Dissipation de puissance : PC = 0.2 W
- Température de jonction : −55℃ à +150℃
- Complémentaire au MMDT5401
Applications
- Amplification du signal haute tension
- Circuits de commutation de moyenne puissance
- modules d'équipement audio et de pilotage
- Systèmes de contrôle industriels
- Electronique grand public
- Circuits PCB haute densité
- Appareils électroniques portables