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Transistor bipolaire PNP 2SC2881-Y, boîtier SOT-89
Le 2SC2881 est un transistor NPN haute tension au silicium, présenté dans un boîtier plat SOT-89 compact. Il se caractérise par une tension élevée, une fréquence de transition élevée et un excellent gain en courant continu. Complémentaire du 2SA1201, il est largement utilisé dans les circuits d'amplification haute tension, de commande de signaux et de commutation.
Nos avantages
- Tension nominale élevée jusqu'à 120 V pour un fonctionnement stable des circuits haute tension
- Fréquence de transition élevée pour une commutation et une amplification rapides.
- Boîtier plat SOT-89 compact avec de bonnes performances thermiques
- Double tri hFE (O/Y) pour une adaptation de circuit flexible
- Complémentaire au 2SA1201 pour la conception push-pull
- Large plage de températures pour les applications industrielles et grand public
- Caractéristiques électriques stables et haute fiabilité
Description
Le 2SC2881 est un transistor NPN haute tension au silicium, présenté dans un boîtier plat SOT-89 compact. Il se caractérise par une tension élevée, une fréquence de transition élevée et un excellent gain en courant continu. Complémentaire du 2SA1201, il est largement utilisé dans les circuits d'amplification haute tension, de commande de signaux et de commutation.
Fonctionnalités
- transistor NPN haute tension
- Petit boîtier plat SOT 89
- Haute tension : VCBO = VCEO = 120 V
- Fréquence de transition élevée : fT = 120 MHz (typ.)
- Complémentaire au 2SA1201
- Qualités hFE : O(80-160), Y(120-240)
- Courant de collecteur continu : IC = 800 mA
- Dissipation de puissance : PC = 500 mW
- Température de jonction/stockage : −55℃ à +150℃
Applications
- Amplification du signal haute tension
- Équipement audio et circuits de commande
- Contrôle et régulation de l'alimentation électrique
- Modules de contrôle industriels
- Electronique grand public
- circuits de commande d'éclairage
- Commutation haute tension à usage général
Nom
Titre
Description
Fiche technique
Support
Transistor bipolaire PNP SS30101-Q, boîtier SOT-23
Marque: slkor， VCEO(V)： 120V PD(W)(PD(W))： 500mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 1V fT(MHz)(fT(MHz))： 120MHz Package(Package)： SOT-89 IC(A)(IC(A))： 800mA
Transistor bipolaire NPN 2SD2098-R, boîtier SOT-89
Marque: slkor， VCEO(V)： 120V PD(W)(PD(W))： 500mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 1V fT(MHz)(fT(MHz))： 120MHz Package(Package)： SOT-89 IC(A)(IC(A))： 800mA
Transistor bipolaire NPN MMDT4401, boîtier SOT-363
Marque: slkor， VCEO(V)： 120V PD(W)(PD(W))： 500mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 1V fT(MHz)(fT(MHz))： 120MHz Package(Package)： SOT-89 IC(A)(IC(A))： 800mA
Transistor bipolaire PNP 2SC4373-Y, boîtier SOT-89
Marque: slkor， VCEO(V)： 120V PD(W)(PD(W))： 500mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 1V fT(MHz)(fT(MHz))： 120MHz Package(Package)： SOT-89 IC(A)(IC(A))： 800mA
Transistor bipolaire NPN 2SC2757 T33, boîtier SOT-23
Marque: slkor， VCEO(V)： 120V PD(W)(PD(W))： 500mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 1V fT(MHz)(fT(MHz))： 120MHz Package(Package)： SOT-89 IC(A)(IC(A))： 800mA
MMBT589 Transistor bipolaire PNP SOT-23
Marque: slkor， VCEO(V)： 120V PD(W)(PD(W))： 500mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 1V fT(MHz)(fT(MHz))： 120MHz Package(Package)： SOT-89 IC(A)(IC(A))： 800mA
MMDT5551 Transistor bipolaire NPN SOT-363
Marque: slkor， VCEO(V)： 120V PD(W)(PD(W))： 500mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 1V fT(MHz)(fT(MHz))： 120MHz Package(Package)： SOT-89 IC(A)(IC(A))： 800mA
Transistor bipolaire NPN M28S, boîtier SOT-23
Marque: slkor， VCEO(V)： 120V PD(W)(PD(W))： 500mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 1V fT(MHz)(fT(MHz))： 120MHz Package(Package)： SOT-89 IC(A)(IC(A))： 800mA
Transistor bipolaire NPN MMBT2222AT, boîtier SOT-523
Marque: slkor， VCEO(V)： 120V PD(W)(PD(W))： 500mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 1V fT(MHz)(fT(MHz))： 120MHz Package(Package)： SOT-89 IC(A)(IC(A))： 800mA
Transistor bipolaire PNP MMBT2907AT, boîtier SOT-523
Marque: slkor， VCEO(V)： 120V PD(W)(PD(W))： 500mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 1V fT(MHz)(fT(MHz))： 120MHz Package(Package)： SOT-89 IC(A)(IC(A))： 800mA
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
Les gammes de produits de SLKOR incluent des dispositifs discrets, etc., diodes, transistors, dispositifs de puissance ; et des puces de circuits intégrés, etc., régulateurs linéaires, puces DC/DC, puces d'interface, capteurs à effet Hall, CAN et BMS... Nous avons des années de technologie accumulée sur les semi-conducteurs dédiés.
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