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Transistor bipolaire NPN MMDT4401, boîtier SOT-363
Le MMDT4401 est un transistor NPN double à faible signal, monté en surface et conditionné en boîtier SOT-363. Sa structure épitaxiale planaire lui confère une grande fiabilité. Il est conçu pour l'amplification de signaux basse consommation et la commutation rapide dans les équipements électroniques compacts. Avec un courant de collecteur maximal de 600 mA, une tension de seuil de 40 V et une fréquence de coupure élevée (jusqu'à 250 MHz), il garantit des performances fiables même dans les applications à espace restreint.
Nos avantages
- Deux transistors NPN dans un boîtier compact, permettant de gagner de la place sur le circuit imprimé et de réduire le coût de la nomenclature.
- Boîtier CMS SOT-363 ultra-compact pour la conception de circuits haute densité
- Procédé épitaxial planaire pour des performances électriques stables et constantes
- Large plage de gain en courant continu pour une commutation et une amplification flexibles
- Fréquence de transition élevée jusqu'à 250 MHz pour les applications de signaux à haute vitesse
- Large plage de températures de fonctionnement pour l'électronique industrielle et grand public
- Conditionnement en bande et bobine conforme à la norme RoHS pour l'assemblage SMT automatique
Description
MMDT4401 est un transistor NPN double à montage en surface pour petits signaux Ce transistor, encapsulé en boîtier SOT-363 et utilisant une structure épitaxiale planaire, est conçu pour l'amplification de signaux basse consommation et la commutation haute vitesse dans les équipements électroniques compacts. Avec un courant de collecteur maximal de 600 mA, une tension de seuil de 40 V (VCEO) et une fréquence de coupure (fT) élevée jusqu'à 250 MHz, il offre des performances fiables dans les applications à espace restreint.
Fonctionnalités
- transistors NPN doubles pour petits signaux
- Construction de matrices planaires épitaxiales
- Boîtier CMS SOT-363 ultra-compact
- Fréquence de transition élevée : fT = 250 MHz (typique)
- Faible dissipation de puissance : PD = 200 mW
- VCBO = 60 V, VCEO = 40 V, VEBO = 6 V
- Courant de collecteur continu : IC = 600 mA
- Plage de températures étendue : −55℃ à +150℃
- Idéal pour l'amplification et la commutation à faible puissance
Applications
- appareils électroniques portables grand public
- Appareils de communication mobiles
- Circuits d'amplification et de commutation du signal
- Modules PCB haute densité
- Circuits de commande et indicateurs de LED
- Interfaces de contrôle et de capteurs industriels
- Équipement alimenté par batterie
Nom
Titre
Description
Fiche technique
Support
Transistor bipolaire PNP SS30101-Q, boîtier SOT-23
Marque: slkor， VCEO(V)： 40V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： -- fT(MHz)(fT(MHz))： 250MHz Package(Package)： SOT-363 IC(A)(IC(A))： 600mA
Transistor bipolaire NPN 2SD2098-R, boîtier SOT-89
Marque: slkor， VCEO(V)： 40V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： -- fT(MHz)(fT(MHz))： 250MHz Package(Package)： SOT-363 IC(A)(IC(A))： 600mA
Transistor bipolaire PNP 2SC4373-Y, boîtier SOT-89
Marque: slkor， VCEO(V)： 40V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： -- fT(MHz)(fT(MHz))： 250MHz Package(Package)： SOT-363 IC(A)(IC(A))： 600mA
Transistor bipolaire NPN 2SC2757 T33, boîtier SOT-23
Marque: slkor， VCEO(V)： 40V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： -- fT(MHz)(fT(MHz))： 250MHz Package(Package)： SOT-363 IC(A)(IC(A))： 600mA
MMBT589 Transistor bipolaire PNP SOT-23
Marque: slkor， VCEO(V)： 40V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： -- fT(MHz)(fT(MHz))： 250MHz Package(Package)： SOT-363 IC(A)(IC(A))： 600mA
Transistor bipolaire PNP 2SC2881-Y, boîtier SOT-89
VCEO(V)： 40V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： -- fT(MHz)(fT(MHz))： 250MHz Package(Package)： SOT-363 IC(A)(IC(A))： 600mA
MMDT5551 Transistor bipolaire NPN SOT-363
Marque: slkor， VCEO(V)： 40V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： -- fT(MHz)(fT(MHz))： 250MHz Package(Package)： SOT-363 IC(A)(IC(A))： 600mA
Transistor bipolaire NPN M28S, boîtier SOT-23
Marque: slkor， VCEO(V)： 40V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： -- fT(MHz)(fT(MHz))： 250MHz Package(Package)： SOT-363 IC(A)(IC(A))： 600mA
Transistor bipolaire NPN MMBT2222AT, boîtier SOT-523
Marque: slkor， VCEO(V)： 40V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： -- fT(MHz)(fT(MHz))： 250MHz Package(Package)： SOT-363 IC(A)(IC(A))： 600mA
Transistor bipolaire PNP MMBT2907AT, boîtier SOT-523
Marque: slkor， VCEO(V)： 40V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： -- fT(MHz)(fT(MHz))： 250MHz Package(Package)： SOT-363 IC(A)(IC(A))： 600mA
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
Les gammes de produits de SLKOR incluent des dispositifs discrets, etc., diodes, transistors, dispositifs de puissance ; et des puces de circuits intégrés, etc., régulateurs linéaires, puces DC/DC, puces d'interface, capteurs à effet Hall, CAN et BMS... Nous avons des années de technologie accumulée sur les semi-conducteurs dédiés.
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粤公网安备44030002007346号