Nuestras ventajas
- Alta capacidad de corriente de hasta 5 A para aplicaciones de accionamiento de alta potencia.
- Voltaje de saturación ultrabajo VCE(sat) para alta eficiencia y baja pérdida de potencia.
- Amplio rango de hFE con opciones de clasificación para una adaptación flexible del circuito.
- Complementario al 2SB1386 para diseños de circuitos push-pull.
- Encapsulado SOT-89 de montaje superficial para un fácil ensamblaje SMT y una buena disipación de calor.
- Sin plomo y respetuoso con el medio ambiente, conforme a los estándares de la industria.
- Rendimiento estable en un amplio rango de temperaturas.
Mareas Ideales para Lecciones
El 2SD2098 es un transistor epitaxial de silicio NPN encapsulado en SOT-89 de montaje superficial. Está diseñado para conmutación y amplificación de alta corriente, con una excelente ganancia de corriente continua y una baja tensión de saturación. El dispositivo ofrece una corriente de colector continua de 5 A, una tensión colector-emisor de 20 V y una alta frecuencia de transición de hasta 150 MHz. Se utiliza ampliamente en circuitos de control y controladores de potencia media, y es complementario al 2SB1386.
CARACTERÍSTICAS
- Transistor de silicio NPN, par complementario con 2SB1386
- Encapsulado de montaje superficial SOT-89
- Bajo voltaje de saturación colector-emisor VCE(sat)
- Excelentes características de ganancia de corriente continua
- Alta capacidad de corriente: IC = 5A
- Alta frecuencia de transición: fT = 150 MHz (típ.)
- VCBO = 50V, VCEO = 20V, VEBO = 6V
- Disipación de potencia del colector: PC = 500 mW
- Temperatura de unión y almacenamiento: −55℃ a +150℃
- Diseño sin plomo
Aplicaciones
- Gestión de energía y convertidores CC-CC
- Circuitos de control y accionamiento del motor
- Módulos controladores de iluminación LED
- Circuitos amplificadores de potencia de audio
- Dispositivos electrónicos portátiles
- Control industrial y electrodomésticos
- Circuitos de conmutación de alta corriente