דיודת פריקה אלקטרוסטטית של Slkor BTRD04A035

בגל של משודרגים של מסופים חכמים לעבר עיצובים דקים, קלים ובעלי תדר גבוה יותר, האיום הפוטנציאלי של פריקה אלקטרוסטטית (ESD) למעגלים הופך בולט יותר ויותר. ככל שצפיפות התפקוד של מוצרים ניידים כמו סמארטפונים ומכשירים לבישים ממשיכה לעלות, קישורי האות הפנימיים המהירים שלהם הציבו דרישות גבוהות יותר לביצועים של התקני הגנה מפני ESD - עליהם לא רק לעמוד בפני זעזועים אלקטרוסטטיים בעוצמה גבוהה, אלא גם להימנע מפגיעה בשלמות העברת האות. Slkor השיקה במיוחד את דיודת ההגנה הדו-כיוונית ESD BTRD04A035, אשר, עם מארז DFN1006 הקומפקטי והביצועים המאוזנים שלה, בונה מחסום מגן אמין עבור מכשירים אלקטרוניים צרכניים.

כהתקן הגנה שתוכנן לתרחישי תדר גבוה, ה-BTRD04A035 משיג איזון מדויק בביצועים חשמליים: מתח העבודה ההפוך (VRWM) מגיע ל-5.0V, תואם למעגלי מתח נמוך מיינסטרים; מתח הפריצה ההפוך (VBR) נע בין 5.6V ל-8.4V (ערך טיפוסי 6.5V), מה שמבטיח חוסר הפרעה להעברת האות במהלך פעולה רגילה; מתח ההידוק הקדמי (VC) הוא רק 10V תחת דופק של 1A ו-12V תחת דופק של 5A, מה שיכול להגביל במהירות את מתח היתר החולף לטווח בטוח ולהגן על שבבים רגישים בקצה האחורי. קיבול הצומת (CJ) של 15pF וזרם הדליפה ההפוך (IR) של 0.1μA מאזנים עוד יותר תאימות אותות בתדר גבוה ודרישות צריכת חשמל נמוכות, מה שהופך אותו למתאים באופן מושלם לקישורי נתונים במהירות גבוהה.

מבחינת יכולת ההגנה, המכשיר עומד בתקן IEC 61000-4-2, כאשר פריקת מגע ופריקה באוויר מגיעות ל-±25kV. הוא יכול לעמוד בפני זעזועים אלקטרוסטטיים של 5A (8/20μs), עם הספק פולס שיא של 60W. בשילוב עם מהירות תגובה ברמת ננו-שנייה, הוא יכול לדכא באופן מיידי הפרעות אלקטרוסטטיות ונחשולי מתח. מארז DFN1006 שאומץ (מידות 0.55-0.65 מ"מ × 0.95-1.05 מ"מ × 0.35-0.45 מ"מ) חוסך מעל 40% מקום בהשוואה למארזים מסורתיים, תומך בתהליכי הלחמה חוזרת ללא עופרת (טמפרטורת שיא 260℃), עומד בדרישות האמינות של MSL, ותואם לפריסות PCB בצפיפות גבוהה.

היתרונות המרכזיים של המוצר מתרכזים בשלושה היבטים:

● הגנה לכל תרחישים: הגנה מפני ESD של ±25kV וסבילות לברקים של 5A מכסות תרחישי הפרעות אלקטרומגנטיות נפוצים במוצרי אלקטרוניקה צרכניים;

● תאימות לתדר גבוה: קיבול צומת נמוך של 15pF משפיע מינימלית על העברת אותות במהירות גבוהה, מותאמת לממשקי תדר גבוה של מסופים חכמים;

● יעילות אנרגטית ואינטגרציה: זרם דליפה נמוך במיוחד של 0.1μA מאריך את חיי סוללת המכשיר, ומארז DFN1006 מאפשר תכנון מוצר דק וקל.

תחומי היישומים מכסים באופן נרחב קווי מוצרים של מוצרי אלקטרוניקה צרכנית מרכזיים: סמארטפונים, טאבלטים, טלוויזיות חכמות וממירים, מכשירים לבישים ומחשבי כף יד, ומתפקדים היטב בתחומים רגישים אלקטרוסטטית כגון ממשקי מסך מגע וקישורי העברת נתונים.

אדם אחראי מחטיבת התקני ההגנה של Slkor הצהיר, "התכנון המרכזי של BTRD04A035 הוא 'איזון' - השגת הגנה בעוצמה גבוהה בתוך שטח מוגבל של המארז תוך שמירה על הפרעות נמוכות עם אותות בתדר גבוה. גישה זו מגיבה במדויק למגמת הפיתוח הנוכחית של מכשירים אלקטרוניים 'המדגישים הן אינטגרציה פונקציונלית והן אמינות'."

נכון לעכשיו, דגם BTRD04A035 השיג ייצור המוני יציב, תוך אימוץ אריזות סרט וגליל (10,000 יחידות לגליל) ותומך ברכישה בכמויות גדולות. למדריכים טכניים או דוגמאות, אנא בקרו באתר הרשמי של Slkor (SLKOR מוליכים למחצה: מוליכים למחצה בדידים, TVS, ESD, דיודות, רכיבים, טרנזיסטורים, MOSFET, IGBT, מיישר, התקני הספק בדידים, SCR, TRIAC, דיודת זנר; מוליכים למחצה משולבים, מגבר שרת, חיישן הול, וסת ליניארי / LDO, ממיר DC-DC, ממיר AC-DC ומצמד אופטי) לפרטים.

על סלקור:

SLKOR, שבסיסה בשנג'ן, סין, היא חברת היי-טק לאומית מתפתחת במהירות בתחום מוליכים למחצה להספק. עם מרכזי מחקר ופיתוח בבייג'ינג ובסוז'ואו, צוות הטכני המרכזי שלה מגיע מאוניברסיטת צינגהואה. כחדשנית בטכנולוגיית התקני הספק מסיליקון קרביד (SiC), SLKORמוצריה נמצאים בשימוש נרחב בכלי רכב לאנרגיה חדשה, ייצור חשמל פוטו-וולטאי, האינטרנט של הדברים התעשייתי ואלקטרוניקה צרכנית, ומספקים פתרונות מוליכים למחצה קריטיים ליותר מ-10,000 לקוחות ברחבי העולם. החברה מספקת יותר מ-2 מיליארד יחידות בשנה, כאשר טרנזיסטורי MOSFET של SiC ודיודות SBD להתאוששות מהירה במיוחד מדור חמישי קובעים סטנדרטים בתעשייה מבחינת יחס יעילות ויציבות תרמית. SLKOR מחזיקה ביותר מ-100 פטנטים על המצאות ומציעה מעל 2,000 דגמי מוצרים, תוך הרחבת תיק המוצרים הקריטיים שלה על פני התקני חשמל, חיישנים ומעגלים משולבים לניהול צריכת חשמל. הסמכות הכוללות ISO 9001, EU RoHS/REACH ותאימות CP65 מדגימות את מחויבותה האיתנה של החברה לחדשנות טכנולוגית, ייצור רזה ופיתוח בר-קיימא.