6. Ujian Akhir (FT)

Tes Akhir, juga dikenal sebagai FT, adalah langkah pengujian terakhir sebelum pengiriman perangkat. Biasanya dilakukan pada suhu ruangan dan suhu tinggi untuk memastikan perangkat memenuhi spesifikasi. Parameter utama yang diuji selama FT antara lain Idss, Vth, Rdson, dan BV (tegangan tembus).

Selama FT, perangkat harus menjalani pengujian ketat untuk memverifikasi kinerja dan fungsionalitas kelistrikannya. Pengujian dilakukan dalam kondisi pengoperasian berbeda untuk menyimulasikan skenario dunia nyata dan memastikan bahwa perangkat dapat beroperasi dengan andal dan konsisten.

FT biasanya melibatkan serangkaian pengujian, termasuk uji kelistrikan dan fungsional, uji keandalan, uji lingkungan, dan uji tegangan. Tujuan FT adalah untuk mengidentifikasi segala cacat, kesalahan, atau penyimpangan dari kinerja yang diharapkan, dan untuk memastikan bahwa perangkat memenuhi standar kualitas dan persyaratan pelanggan.

Singkatnya, FT adalah langkah pengendalian kualitas yang penting dalam proses manufaktur, memastikan bahwa perangkat berfungsi penuh, andal, dan siap digunakan dalam berbagai aplikasi.

Perbandingan Bahan Perangkat

(一)Perbandingan Karakteristik Bahan Semikonduktor

Semikonduktor dengan lebar celah pita lebih besar dari 2.2 eV disebut sebagai semikonduktor celah pita lebar (semikonduktor generasi ketiga).

Perbandingan Karakteristik Bahan Semikonduktor

Lebar Celah Pita: Silikon memiliki lebar celah pita 1.1 eV, hampir tiga kali lebih kecil dibandingkan galium nitrida dan silikon karbida. Oleh karena itu, galium nitrida dan silikon karbida dapat dengan mudah mendukung rangkaian yang beroperasi pada tegangan lebih tinggi, sedangkan keduanya tidak dapat mendukung rangkaian pada tegangan lebih rendah seperti silikon.

Kerusakan Medan Listrik: Kerusakan medan listrik galium nitrida dan silikon karbida 10 kali lebih tinggi dibandingkan silikon. Bidang kerusakan tinggi ini memungkinkan galium nitrida dan silikon karbida menangani tegangan lebih tinggi dengan mudah.

Mobilitas Elektron: Mobilitas elektron galium nitrida tiga kali lebih tinggi dibandingkan silikon karbida, menjadikan HEMT galium nitrida lebih cocok untuk aplikasi frekuensi tinggi.

Konduktivitas Termal: Konduktivitas termal galium nitrida adalah 1.3 W/cmK (watt per sentimeter Kelvin), lebih rendah dibandingkan silikon. Namun, silikon karbida memiliki konduktivitas termal tertinggi dan tiga kali lebih baik dalam mentransfer beban panas dibandingkan galium nitrida dan silikon. Kinerja termal yang unggul ini memberikan silikon karbida keuntungan yang signifikan dalam aplikasi daya tinggi dan suhu tinggi.

(二)Perbandingan Bahan Substrat untuk Ga HEMT

Perbandingan Parameter GaN HEMT untuk Bahan Substrat Berbeda

Karena struktur GaN HEMT adalah struktur epitaksi, bahan substrat yang berbeda dapat digunakan.

Lampiran: Pengantar Struktur Perangkat

Untuk memfasilitasi pemahaman yang lebih baik tentang struktur perangkat yang disebutkan dalam teks, diberikan penjelasan singkat tentang singkatan untuk berbagai jenis struktur perangkat.

MOSFET: Transistor Efek Medan Logam-Oksida-Semikonduktor, disingkat MOSFET, adalah perangkat yang dikontrol tegangan. Ada dua jenis MOSFET, "saluran-p" dan "saluran-n", dan masing-masing jenis dapat berada dalam mode peningkatan atau mode penipisan, sehingga menghasilkan empat jenis MOSFET yang berbeda.

BJT (Bipolar Junction Transistor): Transistor sambungan bipolar, umumnya dikenal sebagai transistor, adalah perangkat yang digerakkan oleh arus. Ada dua jenis BJT, PNP dan NPN, yang banyak digunakan sebagai amplifier, osilator, atau sakelar, dll.

HEMT (Transistor Mobilitas Elektron Tinggi): Transistor mobilitas elektron tinggi.

pHEMT: Transistor Mobilitas Elektron Tinggi Pseudomorfik, di mana "p" mewakili pseudomorfik.

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor): Transistor bipolar gerbang terisolasi, yang terdiri dari MOS dan PN sebagai dua unit dasar.

HBT (Transistor Bipolar Heterojungsi): Transistor bipolar heterojungsi.

Triacs: Triode untuk Arus Bolak-balik, perangkat silikon yang dikontrol dua arah.

Thyristor: Penyearah yang dikendalikan semikonduktor.

LDMOS (Lateral Diffused MOS): Semikonduktor oksida logam difusi lateral, perangkat berdaya tinggi frekuensi tinggi. Awalnya, LDMOS terutama berorientasi pada penguat daya RF untuk stasiun pangkalan telepon seluler.

CMOS (MOSFET Komplementer): Semikonduktor oksida logam komplementer, terdiri dari NMOS dan PMOS, adalah unit dasar sirkuit terpadu.