6. Bài kiểm tra cuối cùng (FT)

Thử nghiệm cuối cùng, còn được gọi là FT, là bước thử nghiệm cuối cùng trước khi xuất xưởng thiết bị. Nó thường được thực hiện ở cả nhiệt độ phòng và nhiệt độ cao để đảm bảo rằng các thiết bị đáp ứng các thông số kỹ thuật. Các thông số chính được kiểm tra trong FT bao gồm Idss, Vth, Rdson và BV (điện áp đánh thủng), cùng các thông số khác.

Trong FT, các thiết bị phải trải qua quá trình kiểm tra nghiêm ngặt để xác minh hiệu suất và chức năng điện của chúng. Các thử nghiệm được tiến hành trong các điều kiện hoạt động khác nhau để mô phỏng các tình huống thực tế và đảm bảo rằng các thiết bị có thể hoạt động ổn định và đáng tin cậy.

FT thường bao gồm một loạt các bài kiểm tra, bao gồm kiểm tra điện và chức năng, kiểm tra độ tin cậy, kiểm tra môi trường và kiểm tra sức chịu đựng. Mục tiêu của FT là xác định mọi khiếm khuyết, sai sót hoặc sai lệch so với hiệu suất mong đợi và đảm bảo rằng các thiết bị đáp ứng các tiêu chuẩn chất lượng và yêu cầu của khách hàng.

Tóm lại, FT là một bước kiểm soát chất lượng quan trọng trong quy trình sản xuất, đảm bảo rằng các thiết bị có đầy đủ chức năng, đáng tin cậy và sẵn sàng triển khai trong nhiều ứng dụng.

So sánh vật liệu thiết bị

(一)So sánh đặc tính vật liệu bán dẫn

Chất bán dẫn có độ rộng vùng cấm lớn hơn 2.2 eV được gọi là chất bán dẫn vùng cấm rộng (chất bán dẫn thế hệ thứ ba).

So sánh đặc tính vật liệu bán dẫn

Độ rộng vùng cấm: Silicon có độ rộng vùng cấm là 1.1 eV, nhỏ hơn gần ba lần so với gali nitrit và cacbua silic. Do đó, gali nitrit và cacbua silic có thể dễ dàng hỗ trợ các mạch hoạt động ở điện áp cao hơn, trong khi chúng không thể hỗ trợ các mạch ở điện áp thấp hơn như silicon.

Điện trường đánh thủng: Điện trường đánh thủng của gali nitrit và cacbua silic cao hơn 10 lần so với silicon. Trường phân tích cao này cho phép gali nitrit và cacbua silic xử lý điện áp cao hơn một cách dễ dàng.

Độ linh động của điện tử: Độ linh động của điện tử của gali nitrit cao gấp ba lần so với cacbua silic, khiến HEMT gali nitrit phù hợp hơn cho các ứng dụng tần số cao.

Độ dẫn nhiệt: Độ dẫn nhiệt của gali nitrit là 1.3 W/cmK (watt trên centimet Kelvin), thấp hơn so với silicon. Tuy nhiên, cacbua silic có độ dẫn nhiệt cao nhất và truyền tải nhiệt tốt hơn ba lần so với gali nitrit và silic. Hiệu suất nhiệt vượt trội này mang lại cho cacbua silic một lợi thế đáng kể trong các ứng dụng năng lượng cao và nhiệt độ cao.

(二)So sánh vật liệu nền cho Ga HEMT

So sánh các thông số GaN HEMT cho các vật liệu nền khác nhau

Vì cấu trúc GaN HEMT là cấu trúc epiticular nên có thể sử dụng các vật liệu nền khác nhau.

Tệp đính kèm: Giới thiệu về cấu trúc thiết bị

Để tạo điều kiện hiểu rõ hơn về cấu trúc thiết bị được đề cập trong văn bản, chúng tôi cung cấp mô tả ngắn gọn về các chữ viết tắt cho các loại cấu trúc thiết bị khác nhau.

MOSFET: Transistor hiệu ứng trường bán dẫn oxit kim loại, viết tắt là MOSFET, là một thiết bị điều khiển bằng điện áp. Có hai loại MOSFET, "kênh p" và "kênh n", và mỗi loại có thể ở chế độ tăng cường hoặc chế độ cạn kiệt, dẫn đến bốn loại MOSFET khác nhau.

BJT (Transitor tiếp giáp lưỡng cực): Transitor tiếp giáp lưỡng cực, thường được gọi là bóng bán dẫn, là một thiết bị điều khiển bằng dòng điện. Có hai loại BJT là PNP và NPN, được sử dụng rộng rãi làm bộ khuếch đại, bộ tạo dao động hoặc bộ chuyển mạch, v.v.

HEMT (Transitor có độ linh động điện tử cao): Transistor có độ linh động điện tử cao.

pHEMT: Transitor có độ linh động điện tử cao giả, trong đó "p" đại diện cho giả hình.

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor): Transistor lưỡng cực cổng cách điện, bao gồm MOS và PN là hai đơn vị cơ bản.

HBT (Transitor lưỡng cực dị vòng): Transistor lưỡng cực dị vòng.

Triac: Triode cho dòng điện xoay chiều, một thiết bị silicon điều khiển hai chiều.

Thyristor: Bộ chỉnh lưu điều khiển bằng bán dẫn.

LDMOS (MOS khuếch tán bên): Chất bán dẫn oxit kim loại khuếch tán bên, một thiết bị công suất cao tần số cao. Ban đầu, LDMOS chủ yếu hướng tới các bộ khuếch đại công suất RF cho các trạm gốc điện thoại di động.

CMOS (MOSFET bổ sung): Chất bán dẫn oxit kim loại bổ sung, bao gồm NMOS và PMOS, là đơn vị cơ bản của mạch tích hợp.