6. Финальный тест (FT)

Финальный тест, также известный как FT, — это последний этап тестирования перед отправкой устройств. Обычно это выполняется как при комнатной температуре, так и при высоких температурах, чтобы гарантировать соответствие устройств техническим характеристикам. К основным параметрам, проверяемым во время FT, относятся, среди прочего, Idss, Vth, Rdson и BV (напряжение пробоя).

Во время FT устройства подвергаются строгим испытаниям для проверки их электрических характеристик и функциональности. Испытания проводятся в различных условиях эксплуатации для моделирования реальных сценариев и обеспечения надежной и стабильной работы устройств.

FT обычно включает в себя серию испытаний, включая электрические и функциональные испытания, испытания надежности, испытания на воздействие окружающей среды и стресс-тесты. Целью FT является выявление любых дефектов, неисправностей или отклонений от ожидаемой производительности и обеспечение соответствия устройств стандартам качества и требованиям клиентов.

Таким образом, FT — это важнейший этап контроля качества в производственном процессе, гарантирующий, что устройства полностью функциональны, надежны и готовы к использованию в широком спектре приложений.

Сравнение материалов устройств

(一)Сравнение характеристик полупроводниковых материалов

Полупроводники с шириной запрещенной зоны более 2.2 эВ называются широкозонными полупроводниками (полупроводники третьего поколения).

Сравнение характеристик полупроводниковых материалов.

Ширина запрещенной зоны: Кремний имеет ширину запрещенной зоны 1.1 эВ, что почти в три раза меньше, чем у нитрида галлия и карбида кремния. Следовательно, нитрид галлия и карбид кремния могут легко поддерживать схемы, работающие при более высоких напряжениях, в то время как они не могут поддерживать схемы с более низкими напряжениями, как кремний.

Электрическое поле пробоя: Электрическое поле пробоя нитрида галлия и карбида кремния более чем в 10 раз выше, чем у кремния. Такое сильное поле пробоя позволяет нитриду галлия и карбиду кремния легко выдерживать более высокие напряжения.

Подвижность электронов: подвижность электронов нитрида галлия в три раза выше, чем у карбида кремния, что делает HEMT из нитрида галлия более подходящим для высокочастотных применений.

Теплопроводность: Теплопроводность нитрида галлия составляет 1.3 Вт/смК (ватт на сантиметр Кельвина), что ниже, чем у кремния. Однако карбид кремния обладает самой высокой теплопроводностью и в три раза лучше переносит тепловую нагрузку по сравнению с нитридом галлия и кремнием. Эти превосходные тепловые характеристики дают карбиду кремния значительное преимущество в приложениях с высокой мощностью и высокими температурами.

(二) Сравнение материалов подложек для Ga HEMT

Сравнение параметров GaN HEMT для различных материалов подложки

Поскольку структуры GaN HEMT являются эпитаксиальными структурами, можно использовать разные материалы подложек.

Приложение: Введение в структуры устройств.

Чтобы облегчить лучшее понимание структур устройств, упомянутых в тексте, приводится краткое описание сокращений для различных типов структур устройств.

MOSFET: полевой транзистор металл-оксид-полупроводник, сокращенно MOSFET, представляет собой устройство, управляемое напряжением. Существует два типа МОП-транзисторов: «p-канальный» и «n-канальный», и каждый тип может находиться либо в режиме улучшения, либо в режиме истощения, в результате чего получается четыре различных типа МОП-транзисторов.

BJT (биполярный переходной транзистор): Биполярный переходной транзистор, широко известный как транзистор, представляет собой устройство, управляемое током. Существует два типа биполярных транзисторов: PNP и NPN, которые широко используются в качестве усилителей, генераторов, переключателей и т. д.

HEMT (Транзисторы с высокой подвижностью электронов): Транзисторы с высокой подвижностью электронов.

pHEMT: псевдоморфный транзистор с высокой подвижностью электронов, где «p» означает псевдоморфный.

IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором): биполярный транзистор с изолированным затвором, состоящий из МОП и PN в качестве двух основных блоков.

HBT (биполярный транзистор с гетеропереходом): биполярный транзистор с гетеропереходом.

Триак: триод для переменного тока, кремниевое устройство с двунаправленным управлением.

Тиристор: полупроводниковый выпрямитель.

LDMOS (латеральная диффузная МОП): система металл-оксид-полупроводник с боковой диффузией, высокочастотное устройство большой мощности. Первоначально LDMOS в основном был ориентирован на усилители мощности ВЧ для базовых станций мобильных телефонов.

КМОП (дополнительный МОП-транзистор): дополнительный металл-оксид-полупроводник, состоящий из NMOS и PMOS, является базовой единицей интегральных схем.