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SL15N60CF NチャンネルパワーMOSFET TO-220F

● 低ゲート電荷(標準値19.6nC)

●ゲート抵抗の低減

● 100%雪崩テスト済み

詳細説明

●このパワーMOSFETは、Slkor社の先進的なスーパージャンクション技術を用いて製造されています。この先進技術は、導通損失を最小限に抑え、優れたスイッチング性能を発揮し、アバランシェモードおよび整流モードにおける高エネルギーパルスにも耐えられるよう特別に設計されています。これらのデバイスは、高効率のスイッチングモード動作によるAC/DC電力変換に最適です。

特長

● 15A、650V、RDS(on)max=0.28Ω@VGS=10V

● 低ゲート電荷(標準19.6nC)

● ゲート抵抗の低減

● 100%雪崩テスト済み

● 鉛フリー、RoHS準拠






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耐用性アップ

 

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