Description

lThis Dual N-Channel MOSFET uses advanced trench technology and Design to provide excellent RDS(on)with low gate charge.

   It can be used in a wide variety of applications.

Features

lVDS=60V,ID=5A,RDS(ON)<36mΩ@VGS=10V

lLow gate charge.

lGreen device available.

lAdvanced high cell denity trench technology for ultra low RDS(ON).

lExcellent package for good heat dissipation.