Hotline usługi
● Dobra stabilność i jednorodność przy wysokim EAS
● Doskonały pakiet zapewniający dobre odprowadzanie ciepła
● Specjalna technologia procesowa zapewniająca wysoką zdolność ESD
Tranzystor MOSFET z kanałem N
Główne cechy
● V DS = 60V.I D = 60A
R DS(ON) <11.5 mΩ V GS =10 V (typowo: 9.1 mQ)
● Konstrukcja ogniw o dużej gęstości zapewniająca bardzo niski współczynnik Rdson
● W pełni scharakteryzowane napięcie i prąd lawinowy
● Dobra stabilność i jednorodność przy wysokim E AS
● Doskonały pakiet zapewniający dobre odprowadzanie ciepła
● Specjalna technologia procesowa zapewniająca wysoką odporność na ładunki elektrostatyczne
Zastosowanie
● Zastosowanie w przełączaniu zasilania
● Obwody komutowane na stałe i o wysokiej częstotliwości
● Zasilacz awaryjny
Wsparcie
Jeśli potrzebujesz wsparcia technicznego lub projektowego, daj nam znać i wypełnij Formularz odpowiedzi. Odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
Długowieczność
Program Długowieczności ma na celu okresowe informowanie naszych klientów o przewidywanym czasie realizacji zamówień na nasze produkty. Program NLP jest regularnie weryfikowany i aktualizowany przez nasz Zespół Zarządzający. Zapoznaj się z naszym programem długowieczności tutaj.















