สายด่วนบริการ
ผลิตภัณฑ์
ผลิตภัณฑ์
FDV305N การเพิ่มประสิทธิภาพ N-Channel MOSFET SOT-23
● เทคโนโลยี Trench Power LV MOSFET
● การออกแบบเซลล์ความหนาแน่นสูงสำหรับ RDS ต่ำ (ON)
● การสลับความเร็วสูง
เราได้เปรียบ
กระบวนการผลิตของจีนผ่านการทำซ้ำหลายปี ส่งผลให้ได้เทคโนโลยีที่สมบูรณ์และเชื่อถือได้ บริษัทระหว่างประเทศหลายแห่งเลือกใช้การจ้างบุคคลภายนอกด้านการผลิตในประเทศจีน ในฐานะผู้ผลิตชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ในประเทศจีน ผลิตภัณฑ์ของเราสามารถทดแทนแบรนด์ต่างประเทศหลัก ๆ ได้อย่างสมบูรณ์ในการใช้งาน 99% โดยไม่ต้องมีการทดสอบการตรวจสอบ ผลิตภัณฑ์ของเรามีความสม่ำเสมอในด้านคุณภาพ ราคาที่สมเหตุสมผล สินค้าคงคลังที่เพียงพอ การจัดหาที่ยืดหยุ่น ระยะเวลาในการผลิตที่สั้น และบริการหลังการขายอย่างมืออาชีพ
ลักษณะโดยทั่วไป
FDV305N N-Channel Enhancement MOSFET อยู่ในแพ็คเกจ SOT-23 ขนาดกะทัดรัด ได้รับการออกแบบมาเพื่อการสลับและการควบคุมที่มีประสิทธิภาพในการใช้งานอิเล็กทรอนิกส์ต่างๆ ออกแบบมาเพื่อมอบประสิทธิภาพที่เชื่อถือได้ด้วยแรงดันไฟฟ้าเกณฑ์เกตต่ำและความต้านทานออนต่ำ FDV305N เหมาะอย่างยิ่งสำหรับการออกแบบที่มีพื้นที่จำกัดและไวต่อพลังงาน
คุณสมบัติ
● เทคโนโลยี Trench Power LV MOSFET
● การออกแบบเซลล์ความหนาแน่นสูงเพื่อลดค่า RDS (ON)
● การสลับความเร็วสูง
การใช้งาน
● การป้องกันแบตเตอรี่
● สวิตช์โหลด
● การจัดการพลังงาน
ชื่อ
หัวข้อ
คำอธิบาย
เอกสารข้อมูล
การสนับสนุน
Support
หากคุณต้องการความช่วยเหลือด้านการออกแบบ/เทคนิค โปรดแจ้งให้เราทราบและกรอกแบบฟอร์มตอบกลับ เราจะติดต่อกลับคุณโดยเร็วที่สุด
ช่วงชีวิต
โปรแกรมติดตามระยะเวลารอคอยสินค้า (Longevity Program) มีจุดประสงค์เพื่อให้ข้อมูลแก่ลูกค้าของเราเป็นระยะๆ เกี่ยวกับระยะเวลาที่คาดว่าจะสามารถสั่งซื้อสินค้าของเราได้ โปรแกรมติดตามระยะเวลารอคอยสินค้าได้รับการตรวจสอบและปรับปรุงอย่างสม่ำเสมอโดยทีมผู้บริหารของเรา ดูรายละเอียดโปรแกรมติดตามระยะเวลารอคอยสินค้าได้ที่นี่
2SK3018 N-Channel เพาเวอร์มอสเฟต SOT-23
แบรนด์: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 30V Id(A)： 100mA RDSON(Ω)： 7.5mΩ@10V,400mA VTH： 2V@100uA P/N： N-Channel
2SK3018W N-Channel เพาเวอร์มอสเฟต SOT-323
แบรนด์: slkor， Package： SOT-323 VDSS(V)： 30V Id(A)： 300mA RDSON(Ω)： 8Ω@10V,3A VTH： 1.5V@250μA P/N： N-Channel
2SK3019 N-Channel Enhancement MOSFET SOT-523
แบรนด์: slkor， Package： SOT-523 VDSS(V)： 30V Id(A)： 0.1A RDSON(Ω)： 8Ω@4V,10A VTH： 0.8V@100μA P/N： N-Channel
BSN20 N-ช่องเพิ่มประสิทธิภาพ MOSFET SOT-23
แบรนด์: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 50V Id(A)： 3A RDSON(Ω)： 3Ω@4.5V VTH： 1.5V@250μA P/N： N-Channel
BSS205N การเพิ่มประสิทธิภาพ N-Channel MOSFET SOT-23
แบรนด์: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 20V Id(A)： 2.5A RDSON(Ω)： 40mΩ@4.5V,2.5A VTH： 0.7V@11μA P/N： N-Channel
BSS84 ทรานซิสเตอร์เอฟเฟกต์ฟิลด์โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ P-Channel SOT-23
แบรนด์: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 50V Id(A)： 130mA RDSON(Ω)： 10Ω@5V,100mA VTH： 2.5V@250uA P/N： P-Channel
FDN302P การเพิ่มประสิทธิภาพ P-Channel MOSFET SOT-23
แบรนด์: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： -20V Id(A)： -2.4A RDSON(Ω)： 44mΩ@-4.5V, -2.4A VTH： -1V@-250μA P/N： P-Channel
FDN304P การเพิ่มประสิทธิภาพ P-Channel MOSFET SOT-23
แบรนด์: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： -20V Id(A)： -2.4A RDSON(Ω)： 36mΩ@-4.5V, -2.4A VTH： -0.7V@-250μA P/N： P-Channel
FDN306P การเพิ่มประสิทธิภาพ P-Channel MOSFET SOT-23
แบรนด์: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： -12V Id(A)： -2.6A RDSON(Ω)： 30mΩ@-4.5V, -2.6A VTH： -0.7V@-250μA P/N： P-Channel
FDN327N N-Channel เพาเวอร์มอสเฟต SOT-23
แบรนด์: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 20V Id(A)： 2A RDSON(Ω)： 40mΩ@4.5V,2.0A VTH： 0.7V@250uA P/N： N-Channel
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
สายผลิตภัณฑ์ของ SLKOR รวมถึงอุปกรณ์แยกส่วน เช่น ไดโอด ทรานซิสเตอร์ อุปกรณ์กำลังไฟฟ้า; และชิปวงจรรวม เช่น ตัวควบคุมเชิงเส้น ชิป DC/DC ชิปอินเทอร์เฟซ เซ็นเซอร์ฮอลล์ ADC และ BMS... เรามีเทคโนโลยีที่สั่งสมมาหลายปีบนเซมิคอนดักเตอร์เฉพาะทาง
ต้องการความช่วยเหลือ? สแกนโค้ดด้วยโทรศัพท์ของคุณเพื่อเริ่มแชทบน WhatsApp
粤公网安备44030002007346号