Ligne d'assistance
● Technologie MOSFET BT Trench Power
● Conception de cellules haute densité pour un faible RDS(ON)
● Commutation haute vitesse
Nos avantages
Les processus de fabrication chinois ont subi des années d’itération, aboutissant à des technologies matures et fiables. De nombreuses entreprises internationales optent pour l’externalisation de leur production en Chine. En tant que fabricant de composants électroniques en Chine, nos produits peuvent remplacer entièrement ceux des grandes marques internationales dans 99 % des applications sans avoir besoin de tests de vérification. Nos produits offrent une qualité élevée, des prix raisonnables, un inventaire important, un approvisionnement flexible, des délais de livraison courts et un service après-vente professionnel.
Description générale
Le MOSFET à amélioration de canal N FDV305N, logé dans un boîtier SOT-23 compact, est conçu pour une commutation et un contrôle efficaces dans diverses applications électroniques. Conçu pour offrir des performances fiables grâce à sa faible tension de seuil de grille et sa faible résistance à l'état passant, le FDV305N est bien adapté aux conceptions limitées en espace et sensibles à la puissance.
Fonctionnalité
● Technologie MOSFET BT Trench Power
● Conception de cellules haute densité pour une faible RDS (ON)
● Commutation haute vitesse
Applications
● Protection de la batterie
● Interrupteur de charge
● Gestion de l'alimentation
Assistance
Si vous avez besoin d'assistance technique ou en matière de conception, veuillez nous le faire savoir et remplir le formulaire de réponse. Nous vous répondrons dans les plus brefs délais.
Longévité
Le Programme de Longévité vise à informer régulièrement nos clients sur la durée de disponibilité de nos produits. Ce programme est régulièrement revu et mis à jour par notre direction. Consultez notre Programme de Longévité ici.















