三星電子在10奈米級第六代（1c）DRAM製程方面取得重大進展，良率超過50%。這項突破標誌著三星在高效能記憶體市場提升競爭力的潛力，並計劃於今年下半年開始量產第六代高頻寬記憶體（HBM4）。

1c DRAM 製程技術節點約為 11-12 奈米。與目前主流的第四代（1a，約 14 奈米）和第五代（1b，約 12-13 奈米）DRAM 相比，1c 製程不僅密度更高，還能有效降低功耗。此外，晶片厚度更薄，有利於在 HBM4 中堆疊更多層內存，從而顯著提升容量和頻寬密度。

自去年以來，三星一直全力投入1c DRAM的開發，並在DRAM開發負責人黃相俊的領導下參與了重新設計工作。他指出，最初未能達到效能和良率目標的根本原因在於早期設計架構的缺陷。他強調，從設計階段開始徹底的修正對於取得進展至關重要。這次高層介入調整設計流程，彰顯了三星重奪技術領先地位的決心。

三星還計劃在下半年供應HBM4樣品，將「客製化HBM」定位為核心新策略。

HBM4 允許將邏輯晶片與 DRAM 堆疊整合。透過代工製程優化整體架構，旨在提供根據不同應用需求客製化的高效解決方案。此外，三星將採用其自主研發的 4 奈米工藝，將邏輯晶片應用於 HBM4 堆疊底層，以提升整體性能和整合靈活性。

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