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碳化矽MOSFET
碳化矽SiC元件的漂移層阻抗比Si元件低，無需電導率調變即可透過MOSFET結構實現高耐壓和低阻抗。且MOSFET原則上不會產生尾電流，因此用SiC-MOSFET取代IGBT時，可以顯著降低開關損耗，實現散熱元件的小型化。此外，SiC-MOSFET的工作頻率可以遠高於IGBT，其電路中的電感電容部分更小，易於實現系統的小型化和輕量化。與相同600V~900V電壓的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET晶片面積較小，可採用更小的封裝，且體二極體恢復損耗很小。目前，SiC MOSFET主要應用於高階工業電源、高階逆變器與變換器、高階馬達拖曳與控制等領域。
SL19N120A 高壓 MOSFET TO-247-3
封裝：TO-247-3
VDSS(V)：1200V
ID@TC=25℃（A）：19A
導通電阻(Ω)：160mΩ@20V,10A
功率（瓦）：134瓦
零件號碼：N-寬度
| 到247-3 | 1200V | 19A | 160mΩ@20V,10A | 134W | N 寬度 |
深圳市SLKOR微半導體有限公司
SLKOR旗下產品線包括分立元件等，二極體、電晶體、功率元件；以及積體電路晶片等，線性穩壓器、DC/DC晶片、介面晶片、霍爾感測器、ADC、BMS…我們在專用半導體方面有多年的技術累積。
粵公網安備44030002007346號
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