碳化矽肖特基二極體 |斯科爾半導體

主頁產品分類分離式功率元件碳化矽裝置碳化矽肖特基二極體

碳化矽肖特基二極體 SiC SBD採用高頻蕭特基勢壘二極體結構，可達到600V以上的高壓，而矽SBD最高耐壓僅200V左右，其通態壓降遠低於矽快恢復二極體。其關斷恢復時間更小，因此關斷損耗更低，從而產生更低的電磁幹擾EMI。以SiC SBD取代主流產品矽快恢復二極體FRD，可顯著降低總損耗，提高電源效率，並透過高頻運轉實現電感、電容等被動元件的小型化，電磁幹擾EMI更低。碳化矽SBD可廣泛應用於空調、電源、光電發電系統逆變器、電動車電拖系統、快速充電器等領域。

產品技術文件數據

規格書 3D模型

SL12005B 碳化矽肖特基勢壘二極體 TO-220-2 VRRM（V）：1200V 中頻（A）：5A 電壓典型值（V）：1.8V PD@TC=25℃（W）：110W 封裝：TO-220-2

規格書 3D模型

SL12010B 碳化矽肖特基二極體 TO-220-2 VRRM（V）：1200V 中頻（A）：10.5A 電壓典型值（V）：1.8V PD@TC=25℃（W）：153W 封裝：TO-220-2

規格書 3D模型

SL12015B SiC 蕭特基勢壘整流器 TO-247-2 VRRM（V）：1200V 中頻（A）：15A 電壓典型值（V）：1.8V PD@TC=25℃（W）：220W 封裝：TO-247-2

規格書 3D模型

SL12020B SiC 蕭特基整流器 TO-247-2 VRRM（V）：1200V 中頻（A）：22A 電壓典型值（V）：1.8V PD@TC=25℃（W）：272W 封裝：TO-247-2

規格書 3D模型

SL12030B SiC 功率蕭特基二極體 TO-247-2 VRRM（V）：1200V 中頻（A）：30A 電壓典型值（V）：1.8V PD@TC=25℃（W）：288W 封裝：TO-247-2

規格書 3D模型

SL12040B SiC 蕭特基二極體整流器 TO-247-2 VRRM（V）：1200V 中頻（A）：40A 電壓典型值（V）：1.8V PD@TC=25℃（W）：385W 封裝：TO-247-2

SL12005B 碳化矽肖特基勢壘二極體 TO-220-2	1200V	5A	1.8V	110W	到220-2
SL12010B 碳化矽肖特基二極體 TO-220-2	1200V	10.5A	1.8V	153W	到220-2
SL12015B SiC 蕭特基勢壘整流器 TO-247-2	1200V	15A	1.8V	220W	到247-2
SL12020B SiC 蕭特基整流器 TO-247-2	1200V	22A	1.8V	272W	到247-2
SL12030B SiC 功率蕭特基二極體 TO-247-2	1200V	30A	1.8V	288W	到247-2
SL12040B SiC 蕭特基二極體整流器 TO-247-2	1200V	40A	1.8V	385W	到247-2