深圳市斯科尔微半导体有限公司以韩国清华大学和延世大学的优秀人才为技术骨干，引领公司在新材料、新工艺和新产品领域的发展。公司拥有国际领先的第三代碳化硅（SiC）功率器件技术。创始人宋世强先生始终高度重视新技术研发和新产品储备。斯科尔还注重知识产权布局，这已成为公司在竞争激烈的市场中一道坚固的屏障，也是其品牌的一道防火墙。  

继2022年3月中国国家知识产权局授予三项实用新型专利后 - “MOSFET封装结构”、“IGBT功率模块安装结构”和“晶体管成型和加工夹具” - 另一项实用新型专利“晶闸管加工加热装置”于 2022 年 4 月获得授权。这进一步加强了 Slkor 的知识产权组合，并表明该公司能力的不断提升。  

“晶闸管加工用加热装置”实用新型专利证书  

Slkor的产品线日益丰富。面向工业应用的产品包括：碳化硅（SiC）二极管、碳化硅（SiC）MOSFET、IGBT、第五代超快恢复功率二极管等，满足新能源汽车、高端设备、通信和电力设备、太阳能光伏、医疗设备等行业对高性能产品的需求。面向民用消费电子应用的产品包括：高、中、低压MOSFET、晶闸管、桥式整流器等功率器件；肖特基二极管、ESD保护二极管、TVS瞬态抑制二极管、通用二极管和晶体管；以及电源管理芯片、霍尔传感器、高速光耦合器等系列产品。这些产品广泛应用于智能手机、笔记本电脑、机器人、智能家居、物联网（IoT）和车联网（IoV）、LED照明、3C数码产品等领域。  

正因为 Slkor 的品牌产品变得越来越多样化，保护自身的权利和利益需要运用法律手段，而知识产权是第一道防线。  

先前授予的“MOSFET封装结构”实用新型专利证书  

这项专利也是倡导技术创新与转型的一项成果，全面提升了公司产品的技术含量和实用价值。它切实体现了由斯尔科总经理宋世强先生领导的研发团队所取得的卓越成果。该团队成员来自延世大学和清华大学，他们在研发过程中克服了无数挑战，反复试验，最终取得了这项专利。  

3月份授予的“IGBT功率模块安装结构”实用新型专利证书  

经过多年的持续积累和巩固，斯尔科尔已建立起坚实的基础，稳步发展，业绩不断增长。总经理宋世强先生的领导发挥了至关重要的作用。宋世强先生深刻理解，企业发展不仅仅关乎人才；要使公司屹立于行业前沿，综合实力也必须与时俱进。实用新型专利等知识产权只是第一步。公司还在产品专利、企业管理体系和数字化管理等方面进行了升级，逐步实现企业的数字化转型。  

“晶体管成型和加工用夹具”实用新型专利证书于3月获批  

凭借强大的技术支持和知识产权，斯尔科半导体在不久的将来必然会从量变转向质变。这将使斯尔科半导体更接近甚至超越上市目标，展现斯尔科半导体在国内半导体行业的雄厚实力，并为“中国芯片”事业贡献力量！