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我们的优势
中国制造工艺经过多年迭代,技术成熟可靠,许多国际公司选择在中国生产外包。作为中国电子元器件制造商,我们的产品在99%的应用中完全可以替代国际大品牌,无需测试验证。我们的产品质量一致性高,价格合理,库存充足,供应灵活,交货周期短,售后服务专业。
描述
BFG425W-TOB 是一款 SiGe 双多晶硅 NPNHBT(异质结双极晶体管)。它具有低噪声系数、高功率增益、高电压能力、宽动态范围和出色的线性特性。它采用双发射极设计,采用 4 引脚 SOT343R 封装,主要用于高频、低噪声应用。
總體規劃特色
Vceo(集电极-发射极电压):4.5V - 提供强大的电压处理能力,确保在各种电路配置中可靠运行。
Ic(集电极电流):100nA - 提供精确且最小的电流泄漏,提高整体电路性能和效率。
Pd(功率耗散):135mW – 凭借其出色的功率耗散能力支持有效的热管理,有助于延长组件寿命并稳定性能。
fT(转换频率):25GHz——提供卓越的高频操作,非常适合需要快速切换和高速信号处理的应用。
工作温度:150℃ @(Tj) – 能够在高温下可靠运行,即使在极端条件下也能确保耐用性和稳定的性能。
应用领域
● 射频前端
● 宽带应用:如手机、无绳电话
● 雷达监视器
● 蜂鸣器
● 卫星电视调谐器
● 高频振荡器
支持
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长寿
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