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BFG425W-TOB NPN-Bipolartransistor SOT-343R
Vceo: 4.5 V.
Ic:100nA
Pd:135mW
VCE:-
fT:25 GHz
Betriebstemperatur: 150 °C bei (Tj)
Unsere Vorteile
Chinesische Herstellungsprozesse haben jahrelange Iterationen durchlaufen, was zu ausgereiften und zuverlässigen Technologien geführt hat. Viele internationale Unternehmen entscheiden sich für das Outsourcing der Produktion nach China. Als Hersteller elektronischer Komponenten in China können unsere Produkte die Produkte großer internationaler Marken in 99 % der Anwendungen vollständig ersetzen, ohne dass eine Prüfung erforderlich ist. Unsere Produkte zeichnen sich durch hohe Qualitätskonsistenz, angemessene Preise, große Lagerbestände, flexible Versorgung, kurze Lieferzeiten und professionellen Kundendienst aus.
Beschreibung
Der BFG425W-TOB ist ein SiGe-Doppelpolysilizium-NPNHBT (Heterojunction Bipolar Transistor). Er zeichnet sich durch einen niedrigen Rauschkoeffizienten, hohe Leistungsverstärkung, hohe Spannungsfestigkeit, einen großen Dynamikbereich und hervorragende lineare Eigenschaften aus. Mit einem Dual-Emitter-Design ist er in einem 4-poligen SOT343R-Format verpackt und in erster Linie für hochfrequente, rauscharme Anwendungen vorgesehen.
Funktionen
Vceo (Kollektor-Emitter-Spannung): 4.5 V – Bietet robuste Spannungshandhabungsfähigkeiten und gewährleistet einen zuverlässigen Betrieb in verschiedenen Schaltungskonfigurationen.
Ic (Kollektorstrom): 100 nA – Sorgt für präzisen und minimalen Stromverlust und verbessert so die Gesamtleistung und Effizienz der Schaltung.
Pd (Leistungsableitung): 135 mW – Unterstützt effektives Wärmemanagement mit seiner beeindruckenden Leistungsableitungskapazität und trägt so zu einer längeren Lebensdauer der Komponenten und einer stabilen Leistung bei.
fT (Übergangsfrequenz): 25 GHz – Bietet überlegenen Hochfrequenzbetrieb und ist daher ideal für Anwendungen, die schnelles Schalten und Hochgeschwindigkeits-Signalverarbeitung erfordern.
Betriebstemperatur: 150 °C @(Tj) – Zuverlässiger Betrieb bei hohen Temperaturen, gewährleistet Haltbarkeit und gleichbleibende Leistung auch unter extremen Bedingungen.
Anwendung
● HF-Frontend
● Breitbandanwendung: wie Mobiltelefon, schnurloses Telefon
● Radarmonitore
● Signalton
● Satelliten-TV-Tuner
● Hochfrequenzoszillator
Name
Titel
Beschreibung
Datenblatt
Support
Unterstützung
Falls Sie Design-/technische Unterstützung benötigen, lassen Sie es uns bitte wissen und füllen Sie das Antwortformular aus. Wir werden uns so schnell wie möglich bei Ihnen melden.
Langlebigkeit
Das Langlebigkeitsprogramm informiert unsere Kunden regelmäßig über die voraussichtliche Lieferzeit unserer Produkte. Es wird regelmäßig von unserem Managementteam überprüft und aktualisiert. Hier finden Sie unser Langlebigkeitsprogramm.
BFG540/X
Marke: slkor，
BFR520
Marke: slkor，
BFG520/XR
Marke: slkor，
BFR380F NPN-Bipolartransistor SOT-323
Marke: slkor，
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
Die Produktlinien von SLKOR umfassen diskrete Bauelemente, wie Dioden, Transistoren, Leistungsbauelemente; und integrierte Schaltkreischips, wie Linearregler, DC/DC-Chips, Schnittstellenchips, Hall-Sensoren, ADCs und BMS... Wir verfügen über jahrelang angesammelte Technologie im Bereich dedizierter Halbleiter.
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