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Der mit der Silizium-Epitaxie-Technologie hergestellte Chip verfügt über Eigenschaften wie hohe Leistungsverstärkung, niedrigen Rauschfaktor, breite Inversionsfrequenz, niedrigen Leckstrom, führende Struktur aus Goldmaterial und hohe Zuverlässigkeit.
Unsere Vorteile
Chinesische Herstellungsprozesse haben jahrelange Iterationen durchlaufen, was zu ausgereiften und zuverlässigen Technologien geführt hat. Viele internationale Unternehmen entscheiden sich für das Outsourcing der Produktion nach China. Als Hersteller elektronischer Komponenten in China können unsere Produkte die Produkte großer internationaler Marken in 99 % der Anwendungen vollständig ersetzen, ohne dass eine Prüfung erforderlich ist. Unsere Produkte zeichnen sich durch hohe Qualitätskonsistenz, angemessene Preise, große Lagerbestände, flexible Versorgung, kurze Lieferzeiten und professionellen Kundendienst aus.
Beschreibung
● Der mit Silizium-Epitaxie-Technologie hergestellte Chip verfügt über Eigenschaften wie hohe Leistungsverstärkung, niedrigen Rauschfaktor, breite Inversionsfrequenz, niedrigen Leckstrom, führende Struktur aus Goldmaterial und hohe Zuverlässigkeit;
● Es wird hauptsächlich für Produkte mit rauscharmen Ultrahochfrequenz-Mikrowellen-, VHF-, UHF- und CATV-Hochfrequenz-Breitbandverstärkern wie SATV-Tunern, CATV-Verstärkern, analogen digitalen schnurlosen Telefonen, Radardetektoren, Hochfrequenzmodulen und Relaisverstärkern bei der Glasfaserübertragung verwendet.
● Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung: BVCEO = 12 V, maximaler Kollektorstrom: IC = 120 mA, Kollektorverlustleistung: PC = 400 mW, charakteristische Frequenz: fT = 9 GHz;
● Das 4-polige (die breiten Kollektorstifte und die Doppelemitterstifte) SOT143B-Oberflächenkunststoffgehäuse wird übernommen; BFG540 und BFG540/X haben die gleiche Gehäuseform, aber unterschiedliche Stiftdefinitionen.
Eigenschaften
● BVCEO (Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung): 15 V – Garantiert stabile Leistung auch in Hochspannungsumgebungen.
● IC (Kollektorstrom): 120 mA – Liefert ausreichend Strom zur Unterstützung der Hochfrequenzsignalverstärkung.
● fT (Übergangsfrequenz): 9 GHz – Gewährleistet eine Hochgeschwindigkeits-Signalverarbeitung mit minimaler Verzerrung.
● NF (Rauschmaß): 1.9 dB – Sorgt für eine geringe Rauschverstärkung und behält die Signalklarheit bei.
● IP1dB (Ausgangsleistung bei 1 dB Kompressionspunkt): 21 dBm – Liefert robuste Ausgangsleistung für effiziente Signalübertragung.
● Gehäuse: SOT-143B – Kompakt und platzsparend, für verschiedene Anwendungen geeignet.
Anwendungen
● HF-Kommunikationssysteme
● Mikrowellengeräte
● Rundfunkausrüstung
● Satellitenkommunikation
● Testen und Messen
Unterstützung
Falls Sie Design-/technische Unterstützung benötigen, lassen Sie es uns bitte wissen und füllen Sie das Antwortformular aus. Wir werden uns so schnell wie möglich bei Ihnen melden.
Langlebigkeit
Das Langlebigkeitsprogramm informiert unsere Kunden regelmäßig über die voraussichtliche Lieferzeit unserer Produkte. Es wird regelmäßig von unserem Managementteam überprüft und aktualisiert. Hier finden Sie unser Langlebigkeitsprogramm.