Produkte
Produkte
BFG520/XR Epitaxialer Siliziumtransistor SOT-143R

Brand: Slkor

Model: BFG520/XR-A

Package: SOT-143R​

Shipping packaging method: tape

Bruttogewicht: 0.035175 Gramm (g)


Unsere Vorteile

Chinesische Herstellungsprozesse wurden jahrelang iteriert, was zu ausgereiften und zuverlässigen Technologien führte. Viele internationale Konzerne entscheiden sich für die Auslagerung der Produktion nach China. Als Hersteller elektronischer Komponenten in China können unsere Produkte in 99 % der Anwendungen die Produkte großer internationaler Marken vollständig ersetzen, ohne dass eine Testverifizierung erforderlich ist. Unsere Produkte zeichnen sich durch hohe Qualitätskonstanz, angemessene Preise, große Lagerbestände, flexible Lieferung, kurze Lieferzeiten und professionellen Kundendienst aus. 


Beschreibung
● Der Chip wird im Silizium-Epitaxieverfahren hergestellt und zeichnet sich durch Eigenschaften wie hohe Leistungsverstärkung, Breitbandigkeit, geringes Rauschen, geringen Leckstrom und geringe Sperrschichtkapazität aus; darüber hinaus verfügt er über relativ große Dynamikbereiche und ideale Stromlinearitätseigenschaften;
● Es wird hauptsächlich für rauscharme Breitband-Hochfrequenzverstärker im Ultrahochfrequenz-Mikrowellenbereich, VHF, UHF und CATV eingesetzt, wie z. B. Satellitenfernsehtuner, CATV-Verstärker, analoge und digitale schnurlose Telefone, Hochfrequenzverstärker in Hochfrequenzmodulen und optischen Modulen;
● Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung: BVCEO=15V, maximaler Kollektorstrom: IC=70mA, Kollektorverlustleistung: PC=300mW, charakteristische Frequenz: fT=9GHz;
Verstärker in Hochfrequenzmodulen und optischen Modulen;
● Die Oberfläche der Pins (der breite Kollektor-Pin und der Dual-Emitter-Pin) des SOT143B bzw. SOT143R ist mit einem Kunststoffgehäuse beklebt;
● ON4973/X und BFG520/X haben die gleiche Leistung, Verpackung und den gleichen Siebdruck, der einzige Unterschied liegt in den Modellbezeichnungen auf den Etiketten.

Merkmale:

● Typ: Epitaxial-Silizium-Transistor
● Vceo: 15 V (Kollektor-Emitter-Spannung)
● Ic: 70 mA (Kollektorstrom)
● Pd: 300 mW (Leistungsableitung)
● fT: 9GHz (Übergangsfrequenz)
● Gehäuse: Normalerweise verfügbar in SOT-143 oder ähnlichen kompakten Gehäusen

Anwendungen:
Der Transistor BFG520/XR findet Anwendung in verschiedenen elektronischen Hochfrequenzschaltungen, darunter:

● HF-Verstärkung: Ideal zur Verstärkung von Signalen in HF-Schaltkreisen mit bis zu 9 GHz.
● Drahtlose Kommunikation: Wird in Sendern und Empfängern für drahtlose Kommunikationssysteme verwendet.
● Mikrowellenschaltungen: Geeignet für Mikrowellenoszillator- und Verstärkerschaltungen.
● Signalverarbeitung: Bietet Hochgeschwindigkeits-Signalverarbeitungsfunktionen in digitalen und analogen Schaltkreisen.
● Testgerät: Wird in Test- und Messgeräten verwendet, die Hochfrequenzleistung erfordern.



Name
Titel
Beschreibung
BFG520.pdf
-
Datenblatt
Support

Unterstützung

 

Falls Sie Design-/technische Unterstützung benötigen, lassen Sie es uns bitte wissen und füllen Sie das Antwortformular aus. Wir werden uns so schnell wie möglich bei Ihnen melden.

Langlebigkeit

 

Das Langlebigkeitsprogramm informiert unsere Kunden regelmäßig über die voraussichtliche Lieferzeit unserer Produkte. Es wird regelmäßig von unserem Managementteam überprüft und aktualisiert. Hier finden Sie unser Langlebigkeitsprogramm.

whatsapp

Service-Hotline

tel: +86 755 83044319

WhatsApp

Whatsapp:+8618073002950