El fabricante de chips japonés Rapidus ha anunciado el lanzamiento oficial de la producción de prueba de obleas de 2 nm, con planes de lograr una producción en masa a gran escala para 2027.

En sus instalaciones IIM-1 en Japón, Rapidus ha comenzado la fabricación de prototipos de obleas de prueba utilizando tecnología de transistores de puerta todo alrededor (GAA) de 2 nm. El proceso de prototipado de este nodo avanzado avanza a buen ritmo.

Las primeras obleas de prueba producidas en la planta IIM-1 han cumplido con las características eléctricas esperadas. Rapidus está midiendo actualmente diversos parámetros de los circuitos de prueba. La construcción de la planta IIM-1 comenzó en septiembre de 2023 y avanza según lo previsto, con más de 200 instalaciones de equipos completadas para junio de 2025.

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