Японский производитель микросхем Rapidus объявил об официальном запуске тестового производства 2-нм пластин и планирует выйти на полномасштабное массовое производство к 2027 году.

На своём предприятии IIM-1 в Японии компания Rapidus приступила к изготовлению прототипов тестовых пластин с использованием 2-нм технологии транзисторов с круговым расположением затворов (GAA). Процесс создания прототипа этого передового узла идёт полным ходом.

Первые тестовые пластины, изготовленные на площадке IIM-1, соответствуют ожидаемым электрическим характеристикам. В настоящее время Rapidus измеряет многочисленные параметры тестовых схем. Строительство комплекса IIM-1 началось в сентябре 2023 года и идёт по графику: по состоянию на июнь 200 года было завершено монтаж более 2025 единиц оборудования.

О нас SLKOR:

SLKOR, со штаб-квартирой в Шэньчжэне, Китай, является быстрорастущим национальным высокотехнологичным предприятием в секторе силовых полупроводников. С научно-исследовательскими центрами в Пекине и Сучжоу, его основная техническая команда происходит из Университета Цинхуа. Как новатор в области технологии силовых устройств из карбида кремния (SiC), SLKORПродукция компании широко используется в транспортных средствах на новых источниках энергии, фотоэлектрических генераторах энергии, промышленном Интернете вещей и потребительской электронике, предоставляя важнейшие полупроводниковые решения более чем 10,000 XNUMX клиентам по всему миру.

Компания ежегодно поставляет более 2 миллиардов единиц продукции, а ее SiC MOSFET и сверхбыстровосстанавливающиеся SBD-диоды 5-го поколения устанавливают отраслевые стандарты по коэффициенту эффективности и тепловой стабильности. SLKOR Имеет более 100 патентов на изобретения и предлагает более 2,000 моделей продуктов, постоянно расширяя свой портфель IP в области силовых устройств, датчиков и ИС управления питанием. Сертификации, включая ISO 9001, EU RoHS/REACH и соответствие CP65, демонстрируют неизменную приверженность компании технологическим инновациям, бережливому производству и устойчивому развитию.