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Transistor NPN de silicio CZT5551 de montaje superficial
2023-07-21
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Hoy presentaremos el transistor NPN de silicio CZT5551 de 160 V y 0.6 A. en montaje en superficie SOT-223.
Mareas Ideales para Lecciones
El CZT5551 es un Transistor bipolar NPN (BJT) fabricado por el epitaxial proceso plano, moldeado con epoxi en un montaje superficial Paquete, diseñado para amplificador de alto voltaje. aplicaciones.
Aplicaciones
amplificador de alto voltaje aplicaciones.
Datos de referencia rápida
| Símbolo | Parámetro | Condiciones | Max | Unidad |
| VCEO | voltaje colector-emisor | base abierta | 160 | V |
| IC | colector de corriente | 0.6 | A | |
| VCEsat |
emisor-colector voltaje de saturación |
IC = 50 mA; IB = 5 mA | 0.2 | V |
Acerca de Slkor
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