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Transistor NPN al silicio CZT5551 per montaggio superficiale
2023-07-21
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Oggi presenteremo il transistor NPN in silicio CZT5551 160V 0.6A nel montaggio superficiale SOT-223.
Descrizione
Il CZT5551 è un Transistor NPN bipolare (BJT) prodotto dall'epitassiale processo planare, stampato con resina epossidica in un supporto superficiale pacchetto, progettato per amplificatore ad alta tensione applicazioni.
Applicazioni
Amplificatore ad alta tensione applicazioni.
Dati di riferimento rapido
| Simbolo | Parametro | Condizioni | Max | Unità |
| VCEO | tensione collettore-emettitore | fondo aperto | 160 | V |
| IC | corrente del collettore | 0.6 | A | |
| VCEsat |
collettore-emettitore tensione di saturazione |
IC = 50mA; IOB = 5 mA | 0.2 | V |
A proposito di Slkor
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