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Transistor bipolar SOT-2 874SD89-R NPN
El 2SD874-R es un transistor de potencia NPN de baja frecuencia en encapsulado SOT-89 de montaje superficial. Está especialmente diseñado para la amplificación de potencia de baja frecuencia con alta capacidad de corriente y ganancia estable. Su grado R proporciona un hFE de 170 a 240 para un funcionamiento del circuito equilibrado y fiable.
Nuestras ventajas
- Alta capacidad de corriente de hasta 1 A para una alimentación fiable.
- Un bajo voltaje de saturación reduce la pérdida de potencia y la generación de calor.
- Ganancia de corriente continua estable para una amplificación de baja frecuencia consistente.
- Encapsulado SOT-89 con buena disipación térmica.
- Amplio rango de temperatura de funcionamiento para aplicaciones industriales.
- Adecuado para el montaje SMT automatizado
- Cumple con la normativa RoHS para la producción en masa.
Mareas Ideales para Lecciones
El 2SD874-R es un transistor de potencia NPN de baja frecuencia en encapsulado de montaje superficial SOT-89. Está especialmente diseñado para Amplificación de potencia de baja frecuencia Con alta capacidad de corriente y rendimiento de ganancia estable. El grado R proporciona un hFE de 170 a 240 para un funcionamiento del circuito equilibrado y fiable.
CARACTERÍSTICAS
- Transistor de potencia NPN de baja frecuencia
- encapsulado de montaje superficial SOT-89
- Diseñado para la amplificación de potencia de baja frecuencia.
- Grado hFE R: 170–240
- VCBO = 60V, VCEO = 50V, VEBO = 5V
- Corriente continua del colector: IC = 1A
- Corriente máxima del colector: ICM = 1.5 A
- Disipación de potencia: PD = 1W
- Frecuencia de transición: fT = 200 MHz (típ.)
- Voltaje de saturación bajo VCE(sat) ≤ 0.4 V
- Temperatura de unión/almacenamiento: −55℃ a +150℃
Aplicaciones
- Circuitos amplificadores de potencia de baja frecuencia
- Amplificación de potencia de audio
- Módulos de control de potencia media
- Control de conmutación de potencia
- Electrónica de audio para el consumidor
- Equipos de control industrial
- Sistemas de accionamiento alimentados por batería
Nombre
Título
Descripción
Ficha técnica
Soporte
Transistor bipolar PNP SS30101-Q SOT-23
Marca: slkor， VCEO(V)： 50V PD(W)(PD(W))： 1W VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 400mV fT(MHz)(fT(MHz))： 200MHz Package(Package)： SOT-89 IC(A)(IC(A))： 1A
Transistor bipolar NPN 2SD2098-R SOT-89
Marca: slkor， VCEO(V)： 50V PD(W)(PD(W))： 1W VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 400mV fT(MHz)(fT(MHz))： 200MHz Package(Package)： SOT-89 IC(A)(IC(A))： 1A
Transistor bipolar NPN MMDT4401 SOT-363
Marca: slkor， VCEO(V)： 50V PD(W)(PD(W))： 1W VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 400mV fT(MHz)(fT(MHz))： 200MHz Package(Package)： SOT-89 IC(A)(IC(A))： 1A
Transistor bipolar PNP 2SC4373-Y SOT-89
Marca: slkor， VCEO(V)： 50V PD(W)(PD(W))： 1W VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 400mV fT(MHz)(fT(MHz))： 200MHz Package(Package)： SOT-89 IC(A)(IC(A))： 1A
Transistor bipolar NPN 2SC2757 T33 SOT-23
Marca: slkor， VCEO(V)： 50V PD(W)(PD(W))： 1W VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 400mV fT(MHz)(fT(MHz))： 200MHz Package(Package)： SOT-89 IC(A)(IC(A))： 1A
Transistor bipolar SOT-589 MMBT23 PNP
Marca: slkor， VCEO(V)： 50V PD(W)(PD(W))： 1W VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 400mV fT(MHz)(fT(MHz))： 200MHz Package(Package)： SOT-89 IC(A)(IC(A))： 1A
Transistor bipolar PNP 2SC2881-Y SOT-89
VCEO(V)： 50V PD(W)(PD(W))： 1W VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 400mV fT(MHz)(fT(MHz))： 200MHz Package(Package)： SOT-89 IC(A)(IC(A))： 1A
Transistor bipolar MMDT5551 NPN SOT-363
Marca: slkor， VCEO(V)： 50V PD(W)(PD(W))： 1W VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 400mV fT(MHz)(fT(MHz))： 200MHz Package(Package)： SOT-89 IC(A)(IC(A))： 1A
Transistor bipolar NPN M28S SOT-23
Marca: slkor， VCEO(V)： 50V PD(W)(PD(W))： 1W VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 400mV fT(MHz)(fT(MHz))： 200MHz Package(Package)： SOT-89 IC(A)(IC(A))： 1A
Transistor bipolar NPN MMBT2222AT SOT-523
Marca: slkor， VCEO(V)： 50V PD(W)(PD(W))： 1W VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 400mV fT(MHz)(fT(MHz))： 200MHz Package(Package)： SOT-89 IC(A)(IC(A))： 1A
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
Las líneas de productos de SLKOR incluyen dispositivos discretos, etc., diodos, transistores, dispositivos de potencia; y chips de circuitos integrados, etc., reguladores lineales, chips DC/DC, chips de interfaz, sensores Hall, ADC y BMS... Tenemos años de tecnología acumulada en semiconductores dedicados.
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