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Diode TVS P4SMA16CA SMA (DO-214AC)
Le P4SMA16CA est un suppresseur de tension transitoire (TVS) bidirectionnel de 400 W à montage en surface, en boîtier SMA (DO-214AC). Il est conçu pour protéger les circuits et composants électroniques sensibles contre les pics de tension bidirectionnels, les décharges électrostatiques et les transitoires induits par la foudre, offrant une protection fiable contre les surtensions pour diverses applications générales.
Description
P4SMA16CA est un Suppresseur de tension transitoire bidirectionnel de 400 W à montage en surface (TVS) Ce dispositif, conditionné en boîtier SMA (DO‑214AC), est conçu pour protéger les circuits et composants électroniques sensibles contre les surtensions bidirectionnelles, les décharges électrostatiques et les transitoires induits par la foudre, offrant ainsi une protection fiable contre les surtensions pour diverses applications générales.
Fonctionnalité
- Protection bidirectionnelle
- Puissance d'impulsion de crête : 400 W (10/1000 µs)
- Tension de fonctionnement inverse (VRWM) : 13.6 V
- Tension de claquage (VBR) : 15.2 V (min) – 16.8 V (max) à 1 mA
- Courant de fuite inverse (IR) : ≤ 1 μA à 13.6 V
- Tension de blocage (VC) : 22.5 V à 18.2 A
- Jonction planaire passivée au verre
- Temps de réponse rapide : <1.0 ps
- Excellente capacité de serrage
- Boîtier à faible inductance et profil bas
- Soudage à haute température : 260 °C/10 s
Nos avantages
- Protection bidirectionnelle, supprime les transitoires positifs et négatifs
- Capacité de gestion des surtensions élevées (400 W), offre une protection transitoire robuste
- Réponse rapide (<1.0 ps), bloque instantanément les pics de tension
- Faible tension de serrage, protège les composants sensibles
- Faible courant de fuite, réduit la consommation d'énergie statique
- paquet SMA, compact et largement compatible
Caractéristiques mécaniques
- Forfait: SMA (DO‑214AC)
- Témoignage clientComposé vert moulé
- PolaritéBidirectionnel, aucune indication de polarité requise
- Poids: ~0.07g
- Température de fonctionnement/stockage: −55℃ ~ +150℃
Applications
- Electronique grand public
- Électronique automobile
- Systèmes de contrôle industriels
- L'équipement de télécommunication
- Appareils aérospatiaux
- Alimentations CA/CC
- Interfaces I / O
- Lignes de signaux basse fréquence (RS232, RS485)
Nom
Titre
Description
Fiche technique
Support
Diode de protection contre les surtensions SMF11A, boîtier SOT-23
Marque: slkor， VRWM(V)： 13.6V VBR min(V)： 15.2V VBR max(V)： 16.8V IR(uA)： 1μA VC(V)： 22.5V Package： SMA
Diode TVS SMA6J5.0A SMA
Marque: slkor， VRWM(V)： 13.6V VBR min(V)： 15.2V VBR max(V)： 16.8V IR(uA)： 1μA VC(V)： 22.5V Package： SMA
Diode TVS SMA6J5.0CA SMA
Marque: slkor， VRWM(V)： 13.6V VBR min(V)： 15.2V VBR max(V)： 16.8V IR(uA)： 1μA VC(V)： 22.5V Package： SMA
Diode TVS P4SMA6.8A SMA (DO-214AC)
Marque: slkor， VRWM(V)： 13.6V VBR min(V)： 15.2V VBR max(V)： 16.8V IR(uA)： 1μA VC(V)： 22.5V Package： SMA
Diode TVS P4SMA6.8CA SMA (DO-214AC)
Marque: slkor， VRWM(V)： 13.6V VBR min(V)： 15.2V VBR max(V)： 16.8V IR(uA)： 1μA VC(V)： 22.5V Package： SMA
Diode TVS P4SMA15A SMA (DO-214AC)
Marque: slkor， VRWM(V)： 13.6V VBR min(V)： 15.2V VBR max(V)： 16.8V IR(uA)： 1μA VC(V)： 22.5V Package： SMA
Diode TVS P4SMA15CA SMA (DO-214AC)
Marque: slkor， VRWM(V)： 13.6V VBR min(V)： 15.2V VBR max(V)： 16.8V IR(uA)： 1μA VC(V)： 22.5V Package： SMA
Diode TVS P4SMA18A SMA (DO-214AC)
Marque: slkor， VRWM(V)： 13.6V VBR min(V)： 15.2V VBR max(V)： 16.8V IR(uA)： 1μA VC(V)： 22.5V Package： SMA
Diode TVS P4SMA18CA SMA (DO-214AC)
Marque: slkor， VRWM(V)： 13.6V VBR min(V)： 15.2V VBR max(V)： 16.8V IR(uA)： 1μA VC(V)： 22.5V Package： SMA
Diode TVS P4SMA30A SMA (DO-214AC)
Marque: slkor， VRWM(V)： 13.6V VBR min(V)： 15.2V VBR max(V)： 16.8V IR(uA)： 1μA VC(V)： 22.5V Package： SMA
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
Les gammes de produits de SLKOR incluent des dispositifs discrets, etc., diodes, transistors, dispositifs de puissance ; et des puces de circuits intégrés, etc., régulateurs linéaires, puces DC/DC, puces d'interface, capteurs à effet Hall, CAN et BMS... Nous avons des années de technologie accumulée sur les semi-conducteurs dédiés.
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