उत्पाद
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SL17N06DN1 एन-चैनल एन्हांसमेंट MOSFET TO-252

● अल्ट्रा लो Rdson के लिए उच्च घनत्व सेल डिज़ाइन

● उच्च ईए के साथ अच्छी स्थिरता और एकरूपता

● अच्छी गर्मी अपव्यय के लिए उत्कृष्ट पैकेज

जनरल सुविधाएँ

● V DS =60V. I D =17A

R DS(ON) <73 mΩ V GS =10V

R DS(ON) <88 m Ω @V GS =4.5V

● बेहतर डीवी/डीटी क्षमता

● अति निम्न Rdson के लिए उच्च घनत्व सेल डिज़ाइन

● उच्च ईए के साथ अच्छी स्थिरता और एकरूपता

● अच्छे ताप अपव्यय के लिए उत्कृष्ट पैकेज

अनुप्रयोगों

● पावर स्विचिंग एप्लिकेशन

● हार्ड स्विच्ड और उच्च आवृत्ति सर्किट

● मोटर ड्राइव


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