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SL17N06DN1 N-Kanal-Erweiterungs-MOSFET TO-252

● Zelldesign mit hoher Dichte für extrem niedrigen Rdson

● Gute Stabilität und Gleichmäßigkeit bei hohen EA-Werten

● Hervorragende Verpackung für gute Wärmeableitung

Allgemeine Merkmale

● VDS =60V. ICHD = 17A

RDS (EIN)<73 mΩ VGS= 10 V

RDS (EIN)<88 mΩ@VGS= 4.5 V

Verbesserte dv/dt-Fähigkeit

Hochdichtes Zelldesign für extrem niedrige Rdson-Werte

● Gute Stabilität und Gleichmäßigkeit mit hohen EAs

● Ausgezeichnetes Paket für gute Wärmeableitung

Anwendungen

Anwendung zur Leistungsschaltung

Hartgeschaltete und Hochfrequenzschaltungen

● Motorantrieb


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Titel
Beschreibung
Datenblatt
Support

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Langlebigkeit

 

Das Langlebigkeitsprogramm informiert unsere Kunden regelmäßig über die voraussichtliche Lieferzeit unserer Produkte. Es wird regelmäßig von unserem Managementteam überprüft und aktualisiert. Hier finden Sie unser Langlebigkeitsprogramm.

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